[发明专利]低热阻抗的固态光源封装结构及其制造方法有效
申请号: | 200910006210.0 | 申请日: | 2009-02-03 |
公开(公告)号: | CN101794847A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 李承士;谢馨仪;林神江;殷寿志 | 申请(专利权)人: | 佰鸿工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低热 阻抗 固态 光源 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明是有关于一种固态光源封装结构及其制造方法,特别 是指一种低热阻抗的固态光源封装结构及其制造方法。
背景技术
图1A为现有技术固态光源芯片直接封装(COB,chip on broad)技术的结构示意图;如图所示,系将一固态光源芯片18, 以银胶、绝缘胶或共晶形式16结合于金属基板12上方,且基板 12为金属散热基板(MCPCB),其上方设置有一绝缘材料14。然 而,固态光源芯片18直接设置于绝缘材料14上方,绝缘材料 14为导热不易的介电材料,因此导致扩散热阻抗高,固态光源 芯片18产生的热不易传导,大量热累积在芯片端,而影响固态 光源芯片18的发光效率与其使用寿命。
参阅图1B,其系为固态光源的另一封装结构示意图;如图 所示,一固态光源芯片28设置于氮化铝26上方,氮化铝26(AlN) 设置于一基板22上方,基板22为金属基板,基板22与氮化铝 26之间以一散热膏24作接触。此类封装结构不包含高热阻值的 绝缘材料,但由于散热膏24的导热系数不高,且须对AlN加压 才能降低接面热阻,因此使用散热膏24与下方的基板22结合的 方式,无法有效降低整体封装结构的热阻值。
倘若能降低固态光源芯片直接封装结构的热阻值,则于固态 光源芯片使用时,可改善芯片的发光效率与使用寿命。
发明内容
本发明的目的之一,在于提供一种低热阻抗的固态光源封装 结构及其制造方法,其通过由一连接层结合一散热基板与一高导 热电路基板,可使低热阻抗的固态光源封装结构的热阻值较一般 封装结构低,如此可改善芯片的发光效率与使用寿命。
本发明的目的之二,是通过由连接层缓冲散热基板与高导热 电路基板因热产生的热应力,如此可增加低热阻抗的固态光源封 装结构的可靠度。
为了达到上述的目的,本发明是提供一种低热阻抗的固态光 源封装结构,其包含:
一散热基板;
一连接层,设于该散热基板上方;
一高导热电路基板,设于该连接层上方;以及
一固态光源,设于该高导热电路基板上方;
其中,该散热基板与该连接层之间设有一第一附着层,该第 一附着层包含一第一金属层与一第二金属层,该连接层与该高导 热电路基板之间设有一第二附着层,该第二附着层包含一第三金 属层与一第四金属层。
本发明中,其中该第一金属层设于该散热基板上方,该第二 金属层设于该第一金属层上方,该连接层设于该第二金属层上 方,该第三金属层设于该高导热电路基板下方,第四金属层设于 该第三金属层下方,该连接层设于该第四金属层下方。
本发明中,其中该第一金属层的材料包含钛。
本发明中,其中该第二金属层的材料包含银或金。
本发明中,其中该第三金属层的材料包含钛。
本发明中,其中该第四金属层的材料包含银或金。
本发明中,其中该散热基板的材料包含金属。
本发明中,其中上述该金属包含铝、铜。
本发明中,其中该连接层的材料包含金属、合金或金属复合 材料,该金属包含铟。
本发明中,其中该连接层的材料的该合金包含锡银铜合金、 铟合金。
本发明中,其中该高导热电路基板的材料包含陶瓷、硅。
本发明中,其中上述该陶瓷包含氮化铝、氧化铝。
本发明中,其中该散热基板上方设有一凹槽,该连接层设于 该凹槽,该凹槽与该连接层的间设有一第一附着层。
本发明中,其中该凹槽之外的散热基板上方设有一绝缘层与 一电路层。
本发明中,其中该第一附着层包含:
一第一金属层,设于该凹槽上方;以及
一第二金属层,设于该第一金属层上方,该连接层设于该第 二金属层上方。
本发明中,其中该第一金属层的材料包含钛。
本发明中,其中该第二金属层的材料包含银或金。
本发明还同时公开了一种低热阻抗的固态光源封装结构的 制造方法,包含下列步骤:
提供一散热基板;
设置一第一附着层于该散热基板上方;
设置一第二附着层于一高导热电路基板下方;
设置一固态光源于该高导热电路基板;
设置一连接层于该散热基板上方;
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