[发明专利]处理装置和处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及在半导体晶片等被处理体的表面实施堆积薄膜的成膜 处理等各种热处理的处理装置和处理方法。

背景技术

一般为了制造半导体集成电路，对由硅基板等构成的半导体晶片 进行成膜处理、蚀刻处理、氧化处理、扩散处理、改质处理等各种热 处理。在上述的各种热处理中，例如以成膜处理为例，这种成膜处理 例如在特开平8-44286号公报、特开平9-246257号公报、特开2002 -9009号公报、特开2006-54432号公报以及特开2006-287194号公 报中公开的例如分批式(batch)的成膜装置内进行。具体而言，如图 20所示，在立式的石英制的处理容器2内以由晶舟4多段支撑的状态 下收容作为被处理体的半导体晶片W，利用包围上述处理容器2而设 置的圆筒形的加热机构6将晶片W加热到规定温度、例如600～700 ℃。

并且，各种必要的气体、例如若是成膜处理则为成膜用的气体从 气体供给部8向处理容器2内自其下部供给，同时通过真空排气系统 12从设于处理容器2的顶部的排气口10将处理容器2内抽真空，将内 部气氛维持在规定的压力，进行成膜处理等各种热处理。

其中，在上述的现有的处理装置中，在处理容器2的外周侧设置 加热机构6，由于以焦耳热进行加热，所以为了加热处理容器2内的晶 片W而热容量较大的石英制的处理容器2自身也必然被加热。因此， 存在用于处理容器2的加热的消耗能量大幅度增加的问题。

另外，如上所述处理容器2自身也暴晒于高温，所以例如在成膜 处理的情况下，不仅高温的晶片W的表面，在处于高温状态的处理容 器2的内壁面上也容易堆积不需要的附着膜，该不需要的附着膜成为 微粒的发生源，由于该不需要的附着膜，也存在使清洁循环变短等问 题。

另外，由于有必要防止半导体元件的接合(junction)等的微细化 带来的掺杂剂的不必要的扩散，要求提高晶片W的热处理时对晶片W 的高速升温和高速降温，但是由于如上所述也不得不同时提高热容量 大的处理容器2，所以也存在进行晶片W的高速升温和高速降温非常 困难的问题。

发明内容

本发明鉴于上述问题点，为有效解决该问题而发明的。本发明目 的在于提供一种使用感应加热从而不加热处理容器自身而加热被处理 体，由此抑制消费能量，防止在处理容器内面堆积不需要的附着膜等， 进而能够实现被处理体的高速升温和高速降温的处理装置和处理方 法。

本发明的第一方面的处理装置，其对被处理体实施热处理，其包 括：

能够收容多个上述被处理体的处理容器；

设于上述处理容器的外侧的感应加热用线圈部；

对上述感应加热用线圈部施加高频电力的高频电源；

向上述处理容器内导入气体的气体供给部；

在上述处理容器内保持上述被处理体的保持部；以及

通过来自上述感应加热用线圈部的高频感应加热，并加热上述被 处理体的感应发热体，

其中，在上述感应发热体上形成有用于控制在该感应发热体上产 生的涡电流的流动的切口状的槽部。

在本发明的第一方面的处理装置中优选，

上述感应加热用线圈部卷绕在上述处理容器的外周。

在本发明的第一方面的处理装置中优选，

上述感应加热用线圈部被上述保持部保持。

在这样的处理装置中优选，

上述保持部能够在保持上述被处理体和上述感应发热体的状态下 插入上述处理容器内或从上述处理容器内脱离。

在上述这样的处理装置中优选，

上述保持部在交替配置上述被处理体和上述感应发热体的状态下 保持上述被处理体和上述感应发热体。

在本发明的第一方面的处理装置中优选，

上述感应加热用线圈部具有金属制管，

上述金属制管与用于使制冷剂流入上述金属制管内的冷却器连 接。

在本发明的第一方面的处理装置中优选，

上述被处理体由圆板状构成，

上述感应发热体由比上述被处理体直径大的圆板状构成。

在本发明的第一方面的处理装置中优选，

上述被处理体和上述感应发热体能够相互接近。

在本发明的第一方面的处理装置中优选，

上述感应发热体由板状构成，