[发明专利]处理装置和处理方法有效
申请号: | 200910005625.6 | 申请日: | 2009-01-20 |
公开(公告)号: | CN101494163A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 泽田郁夫;松浦广行;高桥俊树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种处理装置,其对被处理体实施热处理,其特征在于,包括:
能够收容多个所述被处理体的处理容器;
设于所述处理容器的外侧的感应加热用线圈部;
对所述感应加热用线圈部施加高频电力的高频电源;
向所述处理容器内导入气体的气体供给部;
在所述处理容器内保持所述被处理体的保持部;以及
通过来自所述感应加热用线圈部的高频感应加热,并加热所述被 处理体的感应发热体,
其中,在所述感应发热体上形成有用于控制在该感应发热体上产 生的涡电流的流动的切口状的槽部,
所述保持部在交替配置所述被处理体和所述感应发热体的状态下 保持所述被处理体和所述感应发热体。
2.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述感应加热用线圈部卷绕在所述处理容器的外周。
3.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述感应加热用线圈部被所述保持部保持。
4.如权利要求3所述的处理装置,其特征在于:
所述保持部能够在保持所述被处理体和所述感应发热体的状态下 插入所述处理容器内或从所述处理容器内脱离。
5.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述感应加热用线圈部具有金属制管,
所述金属制管与用于使制冷剂流入所述金属制管内的冷却器连 接。
6.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述被处理体由圆板状构成,
所述感应发热体由比所述被处理体直径大的圆板状构成。
7.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述被处理体和所述感应发热体能够相互接近。
8.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述感应发热体由板状构成,
所述槽部从所述感应发热体的边缘朝向中心方向形成。
9.如权利要求8所述的处理装置,其特征在于:
所述槽部形成多条,并且沿着所述感应发热体的周方向等间隔配 置。
10.如权利要求9所述的处理装置,其特征在于:
所述槽部根据长度而分为多个组,
在各组内,各槽部沿着所述感应发热体的周方向等间隔配置。
11.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
在所述槽部的朝向中心方向的前端形成有用于防止由热应力导致 的破裂的小孔。
12.一种处理装置,其对被处理体实施热处理,其特征在于,包括:
能够收容多个所述被处理体的处理容器;
设于所述处理容器的外侧的感应加热用线圈部;
对所述感应加热用线圈部施加高频电力的高频电源;
向所述处理容器内导入气体的气体供给部;
在所述处理容器内保持所述被处理体的保持部;以及
通过来自所述感应加热用线圈部的高频感应加热,并加热所述被 处理体的感应发热体,
其中,所述感应发热体被分割为多块,
所述保持部在交替配置所述被处理体和所述感应发热体的状态下 保持所述被处理体和所述感应发热体。
13.如权利要求1或12中任一项所述的处理装置,其特征在于:
所述感应发热体的电传导率在200~20000S/m的范围内。
14.如权利要求1或12中任一项所述的处理装置,其特征在于:
在所述感应发热体的至少与所述被处理体相对的面上接合有均热 板。
15.如权利要求14所述的处理装置,其特征在于:
所述均热板由电传导率比所述感应发热体低、且热传导率比该感 应发热体高的材料构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造