[发明专利]半导体器件有效
| 申请号: | 200910005615.2 | 申请日: | 2009-01-20 |
| 公开(公告)号: | CN101567350A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
| 发明(设计)人: | 坂本吉史 | 申请(专利权)人: | OKI半导体株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L23/544;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李 伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 | ||
技术领域
本发明涉及半导体器件,特别是涉及具有晶片级芯片尺寸封装 (W-CSP)结构的半导体器件。
背景技术
近年的以带照相功能的移动电话或数字照相机为代表的信息设备的小 型化、高密度、高功能化显著发展。作为实现在这些设备上搭载的CCD 或CMOS等摄像元件的小型化的技术,公知有实现与芯片尺寸相同的封装 的晶片级芯片尺寸封装(以下称作W-CSP)。
W-CSP是在晶片状态下完成全部的组装工序的新概念的封装。W-CSP 与FBGA(FinePitchBallGridArray)同样,在封装的反面具有把端子排 列为格子状的外形形状,封装尺寸与芯片尺寸大致相同。
在图1表示使用W-CSP技术制作的图像传感器30的截面结构。在由 硅等构成的图像传感器芯片4的正面形成受光部3。受光部3由配置为矩 阵状的光电二极管和电荷耦合元件(CCD)构成。在受光部3的正面层叠 微透镜阵列3a。在图像传感器芯片4的正面形成与受光部3电连接的焊盘 9。在焊盘9各个中电连接有贯通图像传感器芯片4并到达下面的贯通电极 10。在贯通电极10和硅芯片之间设置使两者之间绝缘的绝缘膜11。在图 像传感器芯片的反面形成反射防止膜23,在其开口部中形成与贯通电极10 连接的反面布线13。焊锡凸起12在图像传感器芯片4的反面侧与反面布 线13电连接。通过使用焊锡凸起12进行回流焊,将图像传感器30安装在 安装基板上。在图像传感器芯片4上,隔着间隙形成玻璃罩6。图像传感 器芯片上的空隙由包围受光部3的外周的方式形成的隔离块5形成。隔离 块5和玻璃罩6的接合由粘接剂20进行。
通过这样用W-CSP构成图像传感器,不仅能实现装置的小型化、轻 量化,不必通过在无尘室内使用倒装片焊接那样的高成本的个别安装方 式,就能通过一般的回流焊,即可向安装基板进行安装。
专利文献1:日本特开2007-184680号公报
专利文献2:日本特开2006-73852号公报
一般,在半导体器件的制造工序中,在封装的正面或反面使用激光器 描画来进行用于表示产品名称或制造时间、制造批次和特性等的文字、数 字和记号等激光印字。由激光印字形成的印字标记,在把半导体器件在安 装基板安装时作为用于防止异种元件的混入的识别标记、用装配机装配时 的位置识别标记使用,此外,发生问题时用于制造流程的追踪等。可是, 在以尽可能缩小封装尺寸为目的的W-CSP中,激光印字引起的弊端令人 担心。
即在W-CSP中,从印字面到半导体芯片正面的距离极短,所以有时 由于印字标记的形成,使反面布线露出,或者由于激光的热量使反面布线 熔化,有可能引起绝缘不良。此外,在具有图像传感器那样的受光部的器 件中,在受光区域无法形成印字标记。在W-CSP中,由于该封装的特点, 能通过激光印字形成印字标记的区域非常有限,不容易设置印字区。
发明内容
本发明是鉴于所述问题而提出的,其目的在于,提供在W-CSP那样 的封装尺寸与半导体芯片大致相同的半导体器件中,能确保更宽的印字区 的半导体器件的结构。
本发明的半导体器件包含矩形的半导体基板、形成在所述半导体基板 的正面的多个正面电极、在所述半导体基板的内部从所述半导体基板的反 面到达所述各正面电极的多个贯通孔、覆盖所述贯通孔各自的内壁的导电 体、设置在所述半导体基板的反面并且与所述导电体连接的反面布线网、 覆盖所述反面布线网的绝缘膜、形成在所述绝缘膜上的具有印字标记的印 字区,其特征在于:所述印字区的外缘在平行于所述印字标记形成面的方 向从所述反面布线网分开,并且与所述半导体基板的外缘一致。
附图说明
图1是以往的具有W-CSP结构的图像传感器的剖面结构图。
图2是本发明实施例的图像传感器的剖面结构图。
图3是本发明实施例的图像传感器的剖面结构图。
图4是本发明实施例的图像传感器的反面侧的俯视图。
图5是比较印字区的配置和印字区的面积的图。
图6是表示本发明实施例的图像传感器的制造工序的剖面图。
图7是表示本发明实施例的图像传感器的制造工序的剖面图。
图8是本发明另一实施例的图像传感器的剖面图。
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