[发明专利]降低存储器漏电流的方法与存储器存取方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种存储器的降低漏电流的方法，且特别有关于关闭故障存储单元与电压源间的路径，以降低存储器在待机模式下的漏电流的方法。

背景技术

为了能够提高存储器产品的生产良率，以降低生产成本，目前的存储器已具有修补功能。当主存储器的某些主存储单元(memory cell)损坏时，可利用备用存储器(redundant memory)中的备用存储单元来修补。

在现有的具有修补功能的存储器中，通常会记录所测得的损坏主存储单元所对应的地址，然后再以激光方式来熔断熔丝(fuse)。如此，备用存储器中的备用存储单元可以取代主存储器中的故障主存储单元。也就是说，资料不再读出/写入于故障主存储单元，而是读出/写入于备用存储单元。

但是，即使经过修补，故障的主存储单元在待机模式(standby mode)下，仍然会出现漏电流(1eakage current)。这是因为，在存储器的实际布局上，位元线的位置非常邻近于字元线。所以，如果位元线与字元线之间有短路的话，会造成漏电流出现。

也就是说，即使故障主存储单元已被备用存储单元所取代，以维持存储器正常运作，但漏电流的情况并未随着改善。此漏电流所造成的功率消耗或许在存储器正常操作下微不足道。但当存储器在待机模式下，此漏电流所造成的功率消耗最好能被降低，以避免存储器在待机模式下产生不必要的功率损耗。

发明内容

本发明提供一种降低存储器漏电流的方法。找出损坏存储单元所对应的地址后，切断损坏存储单元与预充电电压源间的电流路径。如此一来，损坏存储单元就不会有漏电流的情况出现。

本发明一范例提供一种降低存储器漏电流的方法，包括：在一存储器开机时，执行一备用栏位检测，以找出上述存储器的损坏存储单元。根据备用栏位检测结果，切断上述损坏存储单元与一预充电电压源间的一电流路径。以及当上述存储器在预充电时，上述损坏存储单元的位元线不会被预充电，以避免上述损坏存储单元出现漏电流。

此外，本发明另一范例提供一种存储器存取方法，包括：在一存储器开机时，执行一备用栏位检测，以找出上述存储器的损坏存储单元；利用上述存储器的备用存储单元来修补上述损坏存储单元；根据备用栏位检测结果，切断上述损坏存储单元与一预充电电压源间的一电流路径；以及当上述存储器处于预充电状态时，使得上述损坏存储单元的位元线不会被预充电，以避免上述损坏存储单元出现漏电流。

综合以上所述，本发明范例利用备用栏位检测的结果找出存储器内损坏存储单元，并切断损坏存储单元与预充电电压源间的电流路径。借此，即使存储器在待机模式下，损坏存储单元不会有漏电流的情形出现，并可降低存储器不必要的功率损耗。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1为根据本发明实施例的降低漏电流的电路示意图。

主要元件符号说明：

100：存储器

110：熔丝炼盒

120：修补单元

130：定址单元

131：闩锁器

140：主存储器

150：备用存储器

141、141’：限流单元

142、142’：等位电路

142a、142b、142c、142a’、142b’及142c’：等位电路开关

143、143’：字元线开关

144、144’：存储单元

WL：字元线

CSLeq(n)：等效栏位选择线

P：比对信号

BL：位元线

互补位元线

VBLEQ：参考电压

EQL：等位电路信号

CA：栏地址

FI：熔丝信息

D：资料

具体实施方式

以下的叙述将伴随着实施例的图示，来详细对本发明所提出的实施例进行说明。在各图示中所使用相同或相似的参考标号，是用来叙述相同或相似的部份。

在本发明实施例中，在开机时，会检查相关于损坏存储单元的栏地址，以确认哪些存储单元为损坏。接着，切断损坏存储单元与电压源间的电流路径，使得其相关位元线不再被预充电。因而，可避免在待机状态下与存储器正常操作下的漏电流的出现。