[发明专利]二段式太阳能电池的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，特别是指一种二段式太阳能电池的制造方法。

背景技术

随着人类的科学技术的发展，人类社会对于能源的依赖越来越严重。而煤炭、石油等能源又是不可再生的，因此现代科学技术对于太阳能这种清洁、高效、可再生的能源越来越重视。

太阳能电池是将太阳能转化为电能的设备，随着半导体技术的发展，太阳能电池技术也发展迅速。

早期的太阳能电池是采用组合热扩散法与网版印刷法的方法。在p型硅上用以热扩散法形成n型扩散层。该方法仅采用一次热扩散，步骤简单，但不能有效降低接触电阻，无法得到较高的转换效率。

目前采用的二段式太阳能电池的制造方法是采用两次掩膜热扩散。即：先在电极下方形成高浓度扩散层；然后是使受光面其余部分形成低浓度扩散层。电极下方含有高浓度掺杂剂的高浓度扩散层(也就是射极层)，获得低欧姆接触。同时降低受光面的其他部分扩散层的表面浓度，抑制受光面的电极以外的部分的表面再结合以及射极内的再结合。

这种二段式太阳能电池制造方法的缺点是：最少要进行二次的掩模热扩散工艺，不仅烦杂且增加成本。

发明内容

针对现有技术中的上述缺陷和问题，本发明的目的是提出一种二段式太阳能电池制造方法，能够具有更好的接触电阻、较高的转换效率，同时又能减少生产工艺步骤、降低成本。

本发明提出了一种二段式太阳能电池制造方法，包括：

步骤1、制造基板；

步骤2、进行杂质植入后进行扩散；或进行扩散后进行杂质植入；所述杂质植入步骤包括：在基板上设置一遮挡物，所述遮挡物具有预设的图案开口，所述开口贯穿所述遮挡物；在遮挡物下方植入杂质，使位于所述开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度；

步骤3、在表面形成反射防止膜并形成电极。

作为上述技术方案的优选，所述步骤1具体为：

步骤11、将基板以碱性溶液进行清洗，并通过蚀刻祛除表面的切片损伤；

步骤12、在基板表面形成纹路。

作为上述技术方案的优选，在步骤12中，在基板表面形成纹路的方法可以为：通过湿蚀刻在基板表面形成凹凸的纹路；或是通过反应离子蚀刻法形成随机纹路。

作为上述技术方案的优选，所述步骤2具体为：

步骤21、在遮挡物下方植入杂质，并使位于所述开口处杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度；

步骤22、进行扩散，并使位于遮挡物开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度。

作为上述技术方案的优选，所述步骤2还可以具体为：

步骤21’、进行扩散；

步骤22’、利用遮挡物，在遮挡物下方植入杂质，并使位于所述开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度。

作为上述技术方案的优选，所述步骤2中进行扩散的方法可以为：

通过涂布含有杂质的浆料后进行热扩散；或通过三氯氧磷POCl3气相扩散。

作为上述技术方案的优选，步骤2与步骤3之间还包括：

步骤2’、去除所述遮挡物。

作为上述技术方案的优选，所述步骤3具体为：

步骤31、在表面通过沉积或等离子体CVD法或真空蒸渡法形成反射防止膜，所述反射防止膜为氮化硅膜或氧化膜或二氧化钛膜或氧化锌膜或氧化锡膜；

步骤32、使用网版印刷法或真空蒸镀法或溅镀法生成电极。

作为上述技术方案的优选，所述基板为P型基板，所述杂质为N型杂质；或是基板为N型基板；所述杂质为P型杂质。

本发明提出了一种二段式太阳能电池制造方法，包括：制造基板；进行杂质植入后进行扩散；或进行扩散后进行杂质植入；所述杂质植入步骤包括：在基板上设置一遮挡物，所述遮挡物具有预设的图案开口，所述开口贯穿所述遮挡物；在遮挡物下方植入杂质，并使位于所述开口处形成高浓度杂质层；所述扩散步骤为在所述遮挡物非开口区域形成低浓度杂质层，并使位于所述开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度；在表面形成反射防止膜并形成电极。本发明通过采用遮挡物实现控制不同区域植入不同浓度的掺杂离子，使电极下方形成高浓度层，其他区域形成低浓度层；且采用遮挡物代替传统的氧化掩模层作为离子植入的阻挡层，省去了氧化掩模层的生长步骤和离子植入后氧化掩模层的清洗步骤。本发明提出的方法，能够采用一次植入及扩散，实现与现有的二段式太阳能电池相同的技术参数，具有更好的接触电阻、较高的转换效率，同时又能减少生产工艺步骤、降低成本。

附图说明

图1为应用本发明优选实施例提出的方法在P型基板上形成纹路后的结构示意图；