[发明专利]二段式太阳能电池的制造方法无效
申请号: | 200910001901.1 | 申请日: | 2009-01-07 |
公开(公告)号: | CN101771103A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
发明(设计)人: | 林志光;吴月花 | 申请(专利权)人: | 和舰科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 郑光 |
地址: | 215025 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 二段式 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种二段式太阳能电池制造方法,包括:
步骤制造基板;
步骤2、进行杂质植入后进行扩散;或进行扩散后进行杂质植入;所述杂质植入步骤包括:在基板上设置一遮挡物,所述遮挡物具有预设的图案开口,所述开口贯穿所述遮挡物;在遮挡物下方植入杂质,并使位于所述开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度;
步骤3、在表面形成反射防止膜并形成电极。
2.根据权利要求1所述的二段式太阳能电池制造方法,其特征在于,所述步骤1具体为:
步骤11、将基板以碱性溶液进行清洗,并通过蚀刻祛除表面的切片损伤;
步骤1在基板表面形成纹路。
3.根据权利要求2所述的二段式太阳能电池制造方法,其特征在于,在步骤12中,在基板表面形成纹路的方法可以为:通过湿蚀刻在基板表面形成凹凸的纹路;或是通过反应离子蚀刻法形成随机纹路。
4.根据权利要求1所述的二段式太阳能电池制造方法,其特征在于,所述步骤2具体为:
步骤21、在遮挡物下方植入杂质,并使位于所述开口处杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度;
步骤22、进行扩散,并使位于遮挡物开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度。
5.根据权利要求1所述的二段式太阳能电池制造方法,其特征在于,所述步骤2还可以具体为:
步骤21’、进行扩散;
步骤22’、利用遮挡物,在遮挡物下方植入杂质,并使位于所述开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度。
6.根据权利要求1所述的二段式太阳能电池制造方法,其特征在于,所述步骤2中进行扩散的方法可以为:
通过涂布含有杂质的浆料后进行热扩散;或通过三氯氧磷POCI3气相扩散。
7.根据权利要求1所述的二段式太阳能电池制造方法,其特征在于,步骤2与步骤3之间还包括:
步骤2’、去除所述遮挡物。
8.根据权利要求1所述的二段式太阳能电池制造方法,其特征在于,所述步骤3具体为:
步骤31、在表面通过沉积或等离子体CVD法或真空蒸渡法形成反射防止膜,所述反射防止膜为氮化硅膜或氧化膜或二氧化钛膜或氧化锌膜或氧化锡膜;
步骤32、使用网版印刷法或真空蒸镀法或溅镀法生成电极。
9.根据权利要求1至8任一项所述的二段式太阳能电池制造方法,其特征在于,所述基板为P型基板,所述杂质为N型杂质;或是基板为N型基板;所述杂质为P型杂质。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于和舰科技(苏州)有限公司,未经和舰科技(苏州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910001901.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种发光器件及其制造方法
- 下一篇:一种深沟槽功率MOS器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的