[发明专利]二段式太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种二段式太阳能电池制造方法，包括：

步骤制造基板；

步骤2、进行杂质植入后进行扩散；或进行扩散后进行杂质植入；所述杂质植入步骤包括：在基板上设置一遮挡物，所述遮挡物具有预设的图案开口，所述开口贯穿所述遮挡物；在遮挡物下方植入杂质，并使位于所述开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度；

步骤3、在表面形成反射防止膜并形成电极。

2.根据权利要求1所述的二段式太阳能电池制造方法，其特征在于，所述步骤1具体为：

步骤11、将基板以碱性溶液进行清洗，并通过蚀刻祛除表面的切片损伤；

步骤1在基板表面形成纹路。

3.根据权利要求2所述的二段式太阳能电池制造方法，其特征在于，在步骤12中，在基板表面形成纹路的方法可以为：通过湿蚀刻在基板表面形成凹凸的纹路；或是通过反应离子蚀刻法形成随机纹路。

4.根据权利要求1所述的二段式太阳能电池制造方法，其特征在于，所述步骤2具体为：

步骤21、在遮挡物下方植入杂质，并使位于所述开口处杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度；

步骤22、进行扩散，并使位于遮挡物开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度。

5.根据权利要求1所述的二段式太阳能电池制造方法，其特征在于，所述步骤2还可以具体为：

步骤21’、进行扩散；

步骤22’、利用遮挡物，在遮挡物下方植入杂质，并使位于所述开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度。

6.根据权利要求1所述的二段式太阳能电池制造方法，其特征在于，所述步骤2中进行扩散的方法可以为：

通过涂布含有杂质的浆料后进行热扩散；或通过三氯氧磷POCI3气相扩散。

7.根据权利要求1所述的二段式太阳能电池制造方法，其特征在于，步骤2与步骤3之间还包括：

步骤2’、去除所述遮挡物。

8.根据权利要求1所述的二段式太阳能电池制造方法，其特征在于，所述步骤3具体为：

步骤31、在表面通过沉积或等离子体CVD法或真空蒸渡法形成反射防止膜，所述反射防止膜为氮化硅膜或氧化膜或二氧化钛膜或氧化锌膜或氧化锡膜；

步骤32、使用网版印刷法或真空蒸镀法或溅镀法生成电极。

9.根据权利要求1至8任一项所述的二段式太阳能电池制造方法，其特征在于，所述基板为P型基板，所述杂质为N型杂质；或是基板为N型基板；所述杂质为P型杂质。