[发明专利]图案化介质型磁记录介质的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及图案化介质(Patterned Media)型磁记录介质的制造方法。进一步具体而言，本发明的图案化介质型磁记录介质的制造方法涉及仅在必要部位以高精度形成中间层的凹凸图案，能够实现介质的优异的记录密度的图案化介质型磁记录介质的制造方法。

背景技术

为了提高硬盘等磁记录介质的记录密度，采取了各构成部件所用的材料的优化、记录层颗粒的微细化、磁头的小型化和垂直磁记录方式的导入等各种各样的方案。但利用这些方案提高记录密度逐渐达到极限。

因此，为了进一步提高记录密度，提出了涉及将磁记录层加工成微细凹凸图案而得到的所谓的分立磁道型或位图样型的图案化介质型磁记录介质的技术。

在专利文献1中，公开了一种磁记录介质，其包括：基板；形成于该基板上的软磁层；记录层，其以在垂直于表面的方向上具有磁各向异性的方式取向，形成于上述软磁层上，并且以规定的凹凸图案分割成多个记录单元；和形成于该记录层与上述软磁层之间的中间层，上述记录单元在数据区域中以规定的磁道形状形成(权利要求1)。另外，在专利文献1中，还公开了一种取向膜，其上述中间层厚度方向的至少一部分具有提高上述记录层的取向性的性质，并且与上述记录层中的上述基板侧表面相接而形成(权利要求3)。另外，在专利文献1中，还公开了一种阻挡膜，其上述中间层厚度方向的至少一部分的对于规定蚀刻的蚀刻速率低于上述记录层(权利要求7)。

在专利文献2中，公开了一种磁记录介质的制造方法，其包括：将在基板表面上依次形成有连续记录层、掩模层、抗蚀剂层而得到的被加工体的上述抗蚀剂层加工成规定的图案形状的抗蚀剂层加工工序；根据上述抗蚀剂层，将上述掩模层加工成上述图案形状的掩模层加工工序；除去上述掩模层上的上述抗蚀剂层的抗蚀剂层除去工序；和根据上述掩模层，通过干式蚀刻，将上述连续记录层加工成上述图案形状，分割成多个分割记录单元的连续记录层加工工序，在上述连续记录层加工工序之前，实施上述抗蚀剂层除去工序(权利要求1)。

专利文献1：日本专利特开2006—12285号公报

专利文献2：日本专利特开2005—50468号公报

发明内容

作为图案化介质型的磁记录介质的结构，可以考虑下述结构。即，考虑在控制磁记录层的磁区取向的中间层上，形成有规定的微细凹凸图案，在整个凹凸图案表面上形成有颗粒(granular)膜，仅在中间层未加工部的经过结晶取向的凸部表面上形成有在垂直方向磁区取向的磁记录层的结构。其中，考虑上述中间层使用含有Ru的材料，上述微细凹凸图案通过干式蚀刻等形成，采用Co合金—SiO₂作为上述颗粒膜。

在该图案化介质型磁记录介质中，为了在中间层上形成预期的凹凸图案时，通常考虑下述方法。即，首先，在中间层上形成硬掩模层。接着，在硬掩模层上涂布抗蚀剂使其暂时固化，采用纳米刻印法(ナノインプリント法)或电子束曝光法等使抗蚀剂图案化并固化，得到抗蚀剂图案。并且，使用该抗蚀剂图案，利用离子束或反应性离子蚀刻等干式蚀刻加工硬掩模。此外，在剥离抗蚀剂图案后，利用离子束或反应性离子蚀刻等干式蚀刻对硬掩模经过加工的部位的表面露出的中间层进行加工。

在按照上述顺序在中间层上形成预期的凹凸图案时，通常，中间层的厚度为1～20nm。这样，由于中间层极薄，在利用离子束蚀刻或反应性离子蚀刻等干式蚀刻加工中间层，形成凹凸图案的工序中，加工有可能进展到中间层下的软磁层。

一旦加工进展到软磁层，软磁层就会由于反应气体的残渣而腐蚀，有可能不能充分发挥软磁层固有的“抑制记录时由磁头产生的磁束的发散，充分确保垂直方向的磁场”的特性。另外，由于该进展使得形成磁记录层和保护膜后的凹凸部的台阶差过大，向磁记录层凹部填充非磁性材料，难以得到该填充表面平坦的磁记录介质。

这些不期望的事项在不使用硬掩模层、仅用抗蚀剂图案加工中间层时也是同样。

这样，通过干式蚀刻很难以纳米单位控制中间层的深度。因此，即使通过等离子体发光分光等能够检测出露出软磁层表面，如果在中间层加工中凹部表面的水平高度不均匀，加工也很可能向软磁层进展。

如上所述，虽然公开了涉及各种图案化介质型磁记录介质的技术，但是仍然存在对在形成中间层的凹凸图案时的干式蚀刻工艺中，能够仅对必要部位进行高精度加工的该介质的制造方法的要求。