[发明专利]图案化介质型磁记录介质的制造方法

权利要求书

1.一种图案化介质型磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上依次形成软磁层、蚀刻阻挡层、种子层、中间层、硬掩模层和抗蚀剂的工序；

将所述抗蚀剂图案化，得到抗蚀剂图案的工序；

将所述抗蚀剂图案作为掩模，对硬掩模层进行蚀刻，得到图案状硬掩模层的工序；

剥离所述抗蚀剂图案的工序；

将所述图案状硬掩模层作为掩模，对所述中间层进行蚀刻，得到图案状中间层的工序；

剥离所述图案状硬掩模层的工序；和

形成磁记录层的工序，该工序在所述图案状中间层上形成垂直取向部，并在所述种子层上形成无规取向部。

2.如权利要求1所述的图案化介质型磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述蚀刻阻挡层使用非磁性材料。

3.如权利要求1或2所述的图案化介质型磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述蚀刻阻挡层使用非晶材料。

4.如权利要求1～3中任一项所述的图案化介质型磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述中间层的蚀刻使用离子束蚀刻，并且所述蚀刻阻挡层使用溅射率低于所述中间层材料的材料。

5.如权利要求1～4中任一项所述的图案化介质型磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述中间层的蚀刻使用反应性离子蚀刻，并且所述中间层的材料使用对反应性气体具有耐受性的非磁性材料。

6.如权利要求1～5中任一项所述的图案化介质型磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述蚀刻阻挡层的厚度为10nm以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的图案化介质型磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述抗蚀剂的图案化采用电子束曝光法或刻印法。

8.如权利要求1～7中任一项所述的图案化介质型磁记录介质的制造方法，其特征在于，还包括在所述磁记录层上形成保护层的工序。

9.如权利要求1～8中任一项所述的图案化介质型磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述硬掩模层和所述中间层中的至少一个的蚀刻采用干式蚀刻法。

10.如权利要求1～9中任一项所述的图案化介质型磁记录介质的制造方法，其特征在于，同时进行所述抗蚀剂图案的剥离和所述中间层的蚀刻，所述中间层使用含有Ru的材料，所述蚀刻使用O₂类气体的等离子体。