[发明专利]用于制备TS-1沸石的方法

权利要求书

1.一种用于制备TS-1沸石的方法，其包括：使包含硅源、钛源和氢氧化四丙基铵的具有作为摩尔比的以下组成的混合物在自生压力下，在190-230℃的温度下在没有碱金属存在下进行水热处理0.5-10小时的时间：

Si/Ti＝35-150

TPA-OH/Si＝0.2-0.5，其中TPA＝四丙基铵

H₂O/Si＝高于或等于4并且低于10

H₂O/Ti＝高于或等于320。

2.根据权利要求1的方法，其中在水热处理的末尾，将沸石晶体分离、进行干燥并且然后煅烧。

3.根据权利要求2的方法，其中在100-150℃的温度下进行干燥1小时-15小时的时间，并且在500-600℃的温度下进行煅烧2-10小时的时间。

4.根据权利要求1的方法，其用大于或等于320并且低于或等于600的H₂O/Ti摩尔比进行。

5.根据权利要求1的方法，其中二氧化硅源选自硅胶、胶体二氧化硅或四烷基原硅酸酯。

6.根据权利要求1的方法，其中钛源选自卤化钛和四烷基原钛酸酯。

7.根据权利要求6的方法，其中钛源是四烷基原钛酸酯。

8.根据权利要求5的方法，其中硅源是四乙基原硅酸酯。

9.根据权利要求1的方法，其包括沸石晶体的分离步骤、与粘结相或粘结相前体的混合步骤和成形处理。

10.根据权利要求1的方法，其中由水热处理得到的包含四烷基原硅酸酯的混合物借助于喷雾干燥机进行快速干燥，并且将所得的微球煅烧。

11.根据权利要求1的方法，其中将在氢氧化四烷基铵存在下由四烷基原硅酸酯水解得到的低聚硅溶胶加入由水热处理得到的混合物，将其在25℃至其沸点的温度下保持在搅拌下1-48小时，然后借助于喷雾干燥机将其进行快速干燥并且将所得的微球煅烧。

12.根据权利要求11的方法，其中低聚二氧化硅通过包含二氧化硅源、可能的铝源、氢氧化四烷基铵(TAA-OH)的具有以下摩尔组成的混合物在20-120℃温度下水解0.2-24小时的时间制备：

TAA-OH/SiO₂＝0.04-0.40

H₂O/SiO₂＝10-40

Al₂O₃/SiO₂＝0-0.02。

13.一种TS-1沸石，特征在于具有细长六方形式的晶体，其中主轴为400-50nm。

14.根据权利要求13的沸石，其中晶格中的SiO₂/TiO₂摩尔比为40-200。

15.一种具有5-300μm寸的微球形式的沸石催化剂，其包含低聚二氧化硅和根据权利要求13的沸石。

16.根据权利要求15的沸石催化剂，其中低聚二氧化硅与沸石之间的重量比为0.05-0.70。

17.根据权利要求16的沸石催化剂，其中低聚二氧化硅与沸石之间的重量比为0.05-0.30。