[发明专利]半导体发光器件

说明书

技术领域

本公开涉及一种半导体发光器件。

背景技术

III-V族氮化物半导体已经被不同地应用到：诸如蓝色和绿色发光二极管(LED)的光学器件；诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结场效应晶体管(HFET)的高速转换器件；以及发光器件或显示装置的光源。

氮化物半导体主要用于LED或激光二极管(LD)，并且已经持续地进行了研究，以改善氮化物半导体的制造工艺或发光效率。

发明内容

技术问题

实施例提供了一种包括隧道阻挡层的半导体发光器件。

实施例提供了一种包括隧道阻挡层的半导体发光器件，所述隧道阻挡层与发光结构并联连接。

技术方案

实施例提供一种半导体发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括多个化合物半导体层；绝缘层，所述绝缘层在发光结构的外表面上；欧姆层，所述欧姆层在发光结构下和绝缘层的外表面上；第一电极层，所述第一电极层在发光结构上；以及隧道阻挡层，所述隧道阻挡层在第一电极层与欧姆层之间。

实施例提供一种半导体发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括多个化合物半导体层；绝缘层，所述绝缘层在发光结构的外表面上；欧姆层，所述欧姆层在发光结构下以及在绝缘层的外表面上；隧道阻挡层，所述隧道阻挡层在欧姆层上；第一电极层，所述第一电极层在发光结构上，其中，第一电极层的一部分连接到隧道阻挡层；以及导电支撑构件，所述导电支撑构件在欧姆层下。

有益效果

实施例提供一种具有隧道阻挡层的半导体发光器件。

实施例可以通过使用隧道阻挡层来保护半导体发光器件不受静电放电(ESD)影响。

实施例通过将隧道阻挡层并联连接到发光结构的外部而不包括独立的ESD保护器件。

实施例可以通过提供ESD向发光结构外部的路径来改善发光器件的可靠性。

附图说明

图1是根据第一实施例的半导体发光器件的平面图。

图2是沿着图1的A-A’截取的侧截面图。

图3是沿着图1的B-B’截取的侧截面图。

图4是示出图1的等效电路的电路图。

图5是图1的电流和电压的特性图。

图6至15是示出根据该第一实施例的制造半导体发光器件的工艺的图。

图16是根据第二实施例的半导体发光器件的平面图。

图17是根据第三实施例的半导体发光器件的平面图。

图18是根据第四实施例的半导体发光器件的平面图。

图19是根据第五实施例的半导体发光器件的平面图。

具体实施方式

现在详细参考本公开的实施例，其示例被示出在附图中。在实施例的说明中，可以参考附图来描述每层的“上”或者“下”，并且每层的厚度也作为示例被说明，并且不限于附图的厚度。

在实施例的说明中，可以明白，在层(或膜)、区域、图案或组件被称为在另一个衬底、层(或膜)、区域或图案“上”或“下”的情况下，“上”或“下”包括“直接”和“间接”的所有含义。此外，将参考附图来描述对于每层的“上”或“下”的任何引用。

图1是根据第一实施例的半导体发光器件的平面图。图2是沿着图1的A-A’截取的侧截面图。图3是沿着图1的B-B’截取的侧截面图。

参见图1至3，根据第一实施例的半导体发光器件100包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导电半导体层130、绝缘层140、欧姆层150、导电支撑构件160、第一电极层170和隧道阻挡层180。

对第一导电半导体层110掺杂第一导电掺杂剂，第一导电半导体层110可以由诸如III-V族化合物半导体的半导体中的任何一种来形成，该III-V族化合物半导体是例如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN。在第一导电半导体层110是N型半导体层的情况下，第一导电掺杂剂是N型掺杂剂，并且N型掺杂剂包括Si、Ge、Sn、Se和Te。

在第一导电半导体层110下形成有源层120，并且可以以单量子阱或多量子阱的结构来形成有源层120。可以通过3族和5族元素的化合物半导体来由InGaN阱层/GaN阻挡层或AlGaN阱层/GaN阻挡层来形成有源层120。