[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

发光结构，发光结构包括多个化合物半导体层；

绝缘层，所述绝缘层在所述发光结构的外表面上；

欧姆层，所述欧姆层在所述发光结构下和所述绝缘层的外表面上；

第一电极层，所述第一电极层在所述发光结构上；以及

隧道阻挡层，所述隧道阻挡层在所述第一电极层与所述欧姆层之间。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括：导电支撑构件，所述导电支撑构件在所述欧姆层下。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中，所述欧姆层和所述绝缘层被设置在所述隧道阻挡层的下部下，并且所述第一电极层的一部分被设置在所述隧道阻挡层的上部上。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述隧道阻挡层中的至少一个被形成在所述欧姆层的顶部周围或所述欧姆层的顶部的一部分上。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一电极层包括：

至少一个第一焊盘；以及

至少一个外部电极，所述至少一个外部电极连接到所述第一焊盘，并且位于所述隧道阻挡层上。

6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中，所述第一电极层包括至少一个线电极，所述至少一个线电极从所述第一焊盘分叉并且连接到所述外部电极。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述隧道阻挡层包括Al₂O₃、SiO₂、Si₃N₄、SiCN、TiO₂和Ta₂O₃中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述隧道阻挡层被形成在所述欧姆层的多个角部中的至少一个中。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述隧道阻挡层的厚度是大约10至

10.一种半导体发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括多个化合物半导体层；

绝缘层，所述绝缘层在所述发光结构的外表面上；

欧姆层，所述欧姆层在所述发光结构下和所述绝缘层的外表面上；

隧道阻挡层，所述隧道阻挡层在所述欧姆层上；

第一电极层，所述第一电极层在所述发光结构上，其中，所述第一电极层的一部分被连接到所述隧道阻挡层；以及

导电支撑构件，所述导电支撑构件在所述欧姆层下。

11.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中，所述发光结构包括P-N结结构、N-P结结构、P-N-P结构和N-P-N结结构中的至少一种，所述P-N结结构、N-P结结构、P-N-P结构和N-P-N结结构中的至少一种包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层。

12.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中，以与所述第一电极层的形状相同的形状的图案来形成所述隧道阻挡层中的至少一个。

13.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中，当通过所述第一电极层或所述导电支撑构件来施加异常电压时，所述隧道阻挡层具有导体特性。

14.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中，所述隧道阻挡层包括绝缘材料，并且被并联连接到所述发光结构。

15.根据权利要求10所述的半导体发光器件，其中，所述第一电极层包括：

至少一个第一焊盘，所述至少一个第一焊盘在所述第一导电半导体层上；

线电极，所述线电极以至少一个形状的图案从所述第一焊盘分叉；以及

外部电极，所述外部电极被连接到所述线电极和所述隧道阻挡层。