[发明专利]用于基板的双面溅射蚀刻的系统和方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板微制作领域，更具体地，涉及基板例如用于硬盘驱动器的硬盘的图案化(pattern)领域。

背景技术

基板的微制作是在例如半导体、平板显示器、发光二极管(LED)、用于硬盘驱动器(HDD)的硬盘等的制作中熟知的技术。如所熟知的，半导体、平板显示器和LED的制作包括用于图案化基板的许多步骤。另一方面，硬盘的传统制作，一般称作纵向记录技术，并不包括图案化。类似地，用于横向记录技术的硬盘制作并不包括图案化。相当均一的层被淀积并且记忆单元通常由未图案化磁层内的纹理的自然出现限定。

已经证明，为了保持与其它形式的存储器的竞争力，未图案化的盘片在区位密度和成本方面会不能满足市场的需要。结果，已经提出，下一代盘片应当被图案化。可以想到，图案化处理会利用光刻术，尽管当前并不明确哪种刻印技术会被商业化，并且仍然没有可用于图案化介质的商业制作的商业系统。光刻术的竞争者是干涉光刻术、近场刻印术和纳米压印刻印术(NIL)。不管应用哪种刻印技术，一旦光致抗蚀剂被曝光和显影，盘片就需要被蚀刻。但是，迄今为止还没有提出一种在商业上可行环境下用于蚀刻盘片的技术。

确信的是，蚀刻技术是熟知的，并且得到很好的发展用于半导体、平板显示器、LED等。但是，在所有的这些应用中，基板的仅一个侧面需要被蚀刻从而允许卡盘从后侧面保持基板。等离子被激发以蚀刻前侧面。此外，电极通常嵌入在卡盘中以施加电势以吸引等离子体来撞击基板的前表面。

由于上面的情况，需要一种方法和系统以采用等离子蚀刻技术用于蚀刻硬盘以提供图案化的介质。

发明内容

以下的概述被包括进来以为了提供对本发明的一些方面和特征的基本理解。该概述并不是本发明的广泛的综述，因此并不意在用于特别地确定本发明的重要或者关键要素或者用于描述本发明的范围。它的唯一的目的是以简化的形式作为下面将要进行的更详细的描述的前序以介绍本发明的一些构思。

考虑到等离子蚀刻技术在硬盘方面的应用，本发明人已经认识到，标准的等离子蚀刻技术对于蚀刻图案化的硬盘存在问题。不同于半导体以及其它应用，盘片需要在两个侧面上都被蚀刻。因此，仅在一面上进行等离子蚀刻的传统系统不能用于硬盘。再者，因为盘片的两个侧面被制作，所以不能允许制作设备的元件接触盘片的任一表面。因此，利用传统卡盘的现有技术的系统不能用于处理硬盘，因为它们接触后侧面。这引起另一问题，即如果没有卡盘能够用于保持盘片，如何能够施加偏压电势来使得等离子体撞击盘片的表面呢？

本发明人已经提供对上面的问题的解决方案并研发出一种能够使得在可商业运行的环境下蚀刻盘片的系统和方法。本发明的实施方式使得能够在盘片的两面上进行等离子蚀刻，而无需接触盘片的任何表面。本发明的实施方式还使得能够施加偏压电势以使得等离子体撞击盘片表面而无需使得盘片附着到卡盘。

附图说明

附图被引入说明书并构成说明书的一部分，附图示例出本发明的实施方式，并与说明书一起用以解释和示出本发明的原理。附图意在以示意性的方式示出示例性实施方式的主要特征。附图并不意在描述实际实施方式的每个特征，也不是意在描述所示元件的相对尺寸，并且附图也不是按比例绘制的。

图1示出根据本发明的实施方式的用于制作图案化的硬盘的系统的一部分。

图2示出沿着图1的线A-A剖开的横截面。

图3示出沿着图1的线B-B的横截面。

图4A是示出处于远离盘片的位置的可动电极的局部轴测图，而图4B是示出处于紧邻盘片的位置的可动电极的局部轴测图。

图5示出根据本发明的实施方式的盘片蚀刻腔室。

图6示出具有交替的蚀刻腔室和冷却站的系统的实施方式。

图7示出根据本发明的实施方式的处理流程。

图8示出根据本发明的系统的替代实施方式。

图9示出根据本发明的实施方式的某些替代特征。

图10是示出根据本发明的实施方式的流程的流程图。

具体实施方式