[发明专利]用于基板的双面溅射蚀刻的系统和方法

权利要求书

1.用于盘片蚀刻腔室的可动电极，其包括：

可动支撑部；

耦接到所述可动支撑部的运动组件；

具有暴露表面的传导电极；以及

设置在所述电极周围并露出所述电极的所述暴露表面的电极盖。

2.如权利要求1所述的可动电极，进一步包括传递热交换流体到所述传导电极的流体管。

3.如权利要求1所述的可动电极，进一步包括近程式传感器。

4.如权利要求3所述的可动电极，其中，所述近程式传感器包括耦接到光学传感器的光纤。

5.用于蚀刻基板的蚀刻腔室，其包括：

主腔室体；

耦接到所述腔室体的原气传递组件；

耦接在所述腔室体的侧面上的可动电极组件；

在所述腔室体内部用于接收基板的基板定位机构；以及

其中所述可动电极构造为选择地采取紧邻所述基板但不接触所述基板的任何表面以便处理的位置，以及远离所述基板以便基板运输的位置。

6.如权利要求5所述的蚀刻腔室，其中，所述可动电极组件包括：

可动支撑部；

耦接到所述可动支撑部的运动组件；以及

具有暴露表面的传导电极。

7.如权利要求6所述的蚀刻腔室，其中，所述可动电极组件进一步包括设置在所述电极周围并露出所述电极的所述暴露表面的电极盖。

8.如权利要求7所述的蚀刻腔室，其中，所述电极盖构造为使得采取盖住所述基板的周边的处理位置。

9.如权利要求6所述的蚀刻腔室，其中，所述可动电极组件构造为以使得布置所述电极的所述暴露表面在距离所述基板0.02″至0.75″之间的距离处。

10.如权利要求6所述的蚀刻腔室，进一步包括测量所述电极的所述暴露表面和所述基板之间的距离的近程式传感器。

11.如权利要求10所述的蚀刻腔室，其中，所述近程式传感器包括耦接到光学传感器的光纤。

12.如权利要求5所述的蚀刻腔室，其中，所述原气传递组件包括接地喷头。

13.如权利要求6所述的蚀刻腔室，进一步包括传递热交换流体到所述电极的流体管。

14.如权利要求6所述的蚀刻腔室，进一步包括耦接到所述传导电极的RF激励源。

15.用于蚀刻基板的系统，所述系统包括：

第一蚀刻腔室，该第一蚀刻腔室包括：

具有第一侧面和与该第一侧面相对的第二侧面的第一主腔室体；

耦接到所述第一侧面的第一电极组件；

耦接到所述第二侧面的第一可动电极组件；

位于所述第一腔室体内部用于接收所述基板的第一基板定位机构；

串联耦接到所述第一蚀刻腔室的第二蚀刻腔室，该第二蚀刻腔室包括：

具有第三侧面和第四侧面的第二主腔室体，该第三侧面与所述第二侧面相对，并且所述第四侧面与所述第一侧面相对；

耦接到所述第四侧面的第二电极组件；

耦接在所述第三侧面上的第二可动电极组件；以及

位于所述第二腔室体内部用于接收基板的第二基板定位机构。

16.如权利要求15所述的系统，进一步包括定位在所述第一和第二蚀刻腔室之间的隔离阀。

17.如权利要求15所述的系统，进一步包括定位在所述第一和第二蚀刻腔室之间的冷却腔室。

18.如权利要求15所述的系统，其中，所述第一和第二可动电极组件各自包括：

可动支撑部；

耦接到所述可动支撑部的运动组件；以及

具有暴露表面的传导电极。

19.用于在蚀刻腔室中蚀刻基板的方法，其包括：

安装基板到承载器上；

将承载器运输到腔室中；

移动传导电极以采取紧邻基板的表面而电极并未物理接触基板的位置；

将原气注入腔室中；以及

将RF能量耦合到所述电极以使得腔室中的等离子体向着基板加速。

20.如权利要求19所述的方法，进一步包括提供流体以与电极交换热量。