[发明专利]半导体构造、形成电容器的方法及形成DRAM阵列的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体构造、形成电容器的方法及形成DRAM阵列的方法。

背景技术

通常将半导体装置用于数据存储及处理。数据存储可利用存储器装置阵列。一些存储器装置尤其良好地适合于长期数据存储，而其它存储器装置更适合于快速读取及写入(换句话说，快速存取)。在尤其良好地适合于快速存取的存储器装置当中的为动态随机存取存储器(DRAM)装置。DRAM单位单元可包括与电容器结合的晶体管。

半导体制造的持续目标是减少由各种组件所消耗的半导体不动体量以借此增加集成度。然而，难以减少由电容器所消耗的半导体不动体量，同时仍维持所要电容电平。用于减少由电容器所消耗的不动体量同时维持所要电容电平的一些方法包括将电容器形成为日益更薄且更高。

可通过以下步骤来形成电容器：在模板材料中图案化开口；以存储节点材料来填充开口；及接着移除模板材料以留下包含存储节点材料的电容器存储节点。可将电容器存储节点成形为从半导体衬底向上突出的支柱。随后，可跨越支柱而形成电容器电介质材料，且可跨越电容器电介质材料而形成电容器板材料。电容器板材料、电容器电介质材料及存储节点可一同形成电容器。

随着电容器变得更薄且更高而出现困难，此在于：变得日益难以在模板材料中图案化开口，且日益难以用电容器存储节点材料来填充开口。另外，存在如下日益增加的危险：在可形成电容器电介质材料及电容器板材料以向高且薄的电容器存储节点提供支撑之前，高且薄的电容器存储节点将翻转且可能倒塌。

需要开发用于形成高且薄的电容器的改进方法；且需要开发改进的电容器构造。

附图说明

图1为一实施例的处理阶段处半导体构造的一对断片的图解截面图。

图2到图22为一实施例的各种处理阶段处所示的图1的断片的视图。

图23为沿着图22的线23-23的视图，且图22的视图是沿着图23的线22-22。

图24为计算机实施例的图解视图。

图25为展示图24的计算机实施例的主板的特定特征的框图。

图26为电子系统实施例的高级框图。

图27为存储器装置实施例的简化框图。

具体实施方式

一些实施例包括通过将电容器的区(或区段)堆叠于彼此的顶部上而形成支柱电容器以实现非常高的纵横比电容器的方法。在一些实施例中，可认为支柱电容器包含经设计成使得在每次重复模块的制造过程时电容器变得更高而未变得更宽的模块。可利用所述实施例以形成极其密集的电容器阵列，且可将所述电容器阵列并入高度集成的DRAM阵列中。尽管附图所示的实例实施例利用支柱型电容器模块，但在其它实施例中，模块中的一者或一者以上可包含经配置为容器的电容器存储节点单元，使得电容器的至少一部分将包含容器型电容器区段。

参看图1到图27来描述实例实施例。

参看图1，将半导体构造10展示为在对应于存储器阵列区域的第一经界定区段5与对应于位于存储器阵列区域外围的区域的第二经界定区段7之间被划分。可将区域7称作外围区域。

半导体构造10包含支撑多个晶体管构造14、16及18的基底12。

基底12可包含任何合适的半导体材料，且在一些实施例中可包含以适当掺杂剂进行轻微本底掺杂的单晶硅、基本上由以适当掺杂剂进行轻微本底掺杂的单晶硅组成或由以适当掺杂剂进行轻微本底掺杂的单晶硅组成。术语“半导电衬底”、“半导体构造”及“半导体衬底”意味着包含半导电材料的任何构造，半导电材料包括(但不限于)块体半导电材料(例如，半导电晶片(单独地或组合地包含其它材料))及半导电材料层(单独地或组合地包含其它材料)。术语“衬底”指任何支撑结构，包括(但不限于)上文所描述的半导电衬底。尽管将基底12展示为同质的，但在一些实施例中基底可包含许多层。举例来说，基底12可对应于含有与集成电路制造相关联的一个或一个以上层的半导体衬底。在所述实施例中，所述层可对应于金属互连层、阻挡层、扩散层、绝缘体层等等中的一者或一者以上。