[发明专利]半导体构造、形成电容器的方法及形成DRAM阵列的方法

权利要求书

1.一种形成电容器的方法，其包含：

将所述电容器的第一区形成于半导体衬底的存储器阵列区域上；所述第一区包含第一电容器存储节点、位于所述第一电容器存储节点上的第一电介质材料及位于所述第一电介质材料上的第一电容器外部电极材料；

将所述第一电容器外部电极材料电连接到第一导电互连件，所述第一导电互连件位于所述半导体衬底的在所述存储器阵列区域外围的区域上；

将所述电容器的第二区形成于所述电容器的所述第一区上；所述第二区包含第二电容器存储节点、位于所述第二电容器存储节点上的第二电介质材料及位于所述第二电介质材料上的第二电容器外部电极材料；所述第二电容器存储节点与所述第一电容器存储节点电接触；

将所述第二电容器外部电极材料电连接到第二导电互连件，所述第二导电互连件位于所述半导体衬底的在所述存储器阵列区域外围的所述区域上；以及

将所述第一与第二导电互连件彼此电连接，以将所述第一与第二电容器外部电极材料彼此电耦合。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一及第二电容器存储节点包含具有第一横向宽度的支柱，其中所述第二电容器存储节点经形成以通过在所述第一与第二电容器存储节点之间形成导电颈部而与所述第一电容器存储节点电接触，且其中所述导电颈部具有小于所述第一横向宽度的第二横向宽度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一与第二电容器存储节点为彼此相同的组合物，且其中所述第一及第二导电互连件为与所述第一及第二电容器存储节点相同的组合物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一与第二电容器存储节点为彼此相同的组合物，且其中所述第一及第二导电互连件的组合物不同于所述第一及第二电容器存储节点。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一及第二电容器电介质材料从所述电容器的所述第一及第二区延伸以物理地接触所述第一及第二导电互连件。

6.一种形成电容器的方法，其包含：

将电容器存储节点的第一区段形成于半导体衬底上，所述第一区段具有顶部表面且具有从所述顶部表面向下延伸的侧壁表面；

在所述顶部表面上且沿着所述侧壁表面形成第一电介质材料；

将第一电容器板材料形成于所述第一电介质材料上；

跨越所述第一电容器板材料形成电绝缘层；

蚀刻穿过所述电绝缘层、电容器板材料及第一电介质，以形成延伸到所述电容器存储节点的所述第一区段的开口；

以电绝缘间隔物来给所述开口的侧壁加衬，而使所述电容器存储节点的所述第一区段在所述开口的底部处暴露；

将所述电容器存储节点的第二区段形成于所述电容器存储节点的所述第一区段上，所述第二区段在所述开口内延伸以直接接触所述第一区段；

将第二电介质材料形成于所述第二区段上；

将第二电容器板材料形成于所述第二电介质材料上；以及

将所述第一与第二电容器板材料彼此电耦合。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一电容器板材料为与所述第二电容器板材料相同的组合物。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述给所述开口的所述侧壁加衬包含：

沿着所述开口的所述侧壁及所述底部形成电绝缘间隔物材料层；以及

各向异性地蚀刻所述电绝缘间隔物材料层以从所述开口的所述底部移除所述电绝缘间隔物材料，而留下沿着所述开口的所述侧壁的所述电绝缘间隔物材料作为所述电绝缘间隔物。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述电绝缘间隔物材料由氮化硅组成。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述电容器存储节点的所述第一及第二区段为支柱。