[发明专利]剥离片材及压敏粘合剂制品无效

专利信息
申请号: 200880116874.6 申请日: 2008-10-30
公开(公告)号: CN101868350A 公开(公告)日: 2010-10-20
发明(设计)人: 别府史织;田矢直纪;杉崎俊夫 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: B32B27/18 分类号: B32B27/18;C09J7/02;C09K3/16
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;唐瑞庭
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 剥离 粘合剂 制品
【说明书】:

技术领域

本发明涉及底涂层包含抗静电剂的剥离片材,特别地涉及用于诸如硬盘驱动器等的精密电子设备的名牌标签或低逸气带等的应用中的剥离片材。

背景技术

用于压敏粘合剂带的剥离片材通过在基底片材上层压剥离剂层构成,硅氧烷剥离剂通常用于剥离剂层。对于硅氧烷剥离剂,尽管其剥离性能极佳,但是部分低分子硅氧烷化合物能被转移至压敏粘合剂,由此使得压敏粘合剂带粘附其上的粘附体会被硅氧烷化合物污染。因此,当将压敏片材用于固定在诸如硬盘驱动器等的电子设备上的应用时,硅氧烷污染可引起电子设备失灵。

因此,正研究将非硅氧烷剥离剂,例如长链烷基剥离剂、醇酸树脂剥离剂、氟化剥离剂、聚烯烃剥离剂等用于取代硅氧烷剥离剂以防止电子设备的硅氧烷污染。但是,使用长链烷基剥离剂和醇酸树脂剥离剂的应用由于它们的大剥离力而受到限制;此外,氟化剥离剂尽管其剥离力小但是昂贵,因此很难将其用于批量生产工艺。另一方面,聚烯烃剥离剂广泛用于需要低剥离力的应用中,因为可使其剥离力较小。

但是,利用聚烯烃剥离剂的剥离片材存在易于在其上起静电的问题。例如,通常剥离片材被卷绕成辊状形式,然后在粘合至压敏粘合剂片材之前存储起来,但是当将其自辊展开时会产生火花,或者由于剥离片材自身的自粘合使其变得难以展开。

常规地,如专利引文1中所示,已知为了防止在剥离片材上的静电荷,在剥离片材的基底上提供抗静电层,此外,在基底上依次层压由聚烯烃树脂形成的底涂层和剥离剂层。抗静电层本身由金属箔形成,或者通过将金属粉末、抗静电填料(例如导电聚合物粒子等)或者表面活性剂类的抗静电剂分散在聚酯、聚酰胺、丙烯酸类树脂、聚氨酯或其它的粘结剂中形成。

专利引文1:日本未审查专利公布(KOKAI)No.2005-350650

发明内容

技术问题

但是,表面活性剂类的抗静电剂具有湿度依赖性,因此剥离片材的表面电阻率随工作环境中的湿度而改变。此外,趋于渗出的如抗静电填料和表面活性剂类的抗静电剂能转移至粘附体,因此它们并不优选用于电子设备的应用中(其中外来杂质的污染会导致故障)。特别地,由于当上述电子设备被金属污染时经常发生故障,因此难以在电子设备的应用中使用利用金属粉末作为抗静电填料或者利用金属箔作为抗静电层的剥离片材。

而且,在专利引文1中,存在生产过程复杂的问题,因为在基底和剥离剂层之间需要形成至少两层(底涂层和抗静电层)以防止静电荷。

因此,鉴于上述问题产生了本发明,本发明的目的是提供具有极好抗静电性能的剥离片材,该剥离片材在基底与剥离剂层之间无需很多层,同时抗静电剂至粘附体的转移还得到缓和。

技术方案

本发明的剥离片材包括基底、在基底上形成的底涂层和在底涂层上形成的剥离剂层,其中所述底涂层包含比表面电阻(ASTM D 257)小于或等于109欧姆的聚烯烃型抗静电剂,以使得所述剥离片材的表面电阻率(JIS K 6911)小于或等于1014欧姆/□。

聚烯烃型抗静电剂优选为聚醚-聚烯烃嵌段共聚物。底涂层优选由至少聚烯烃热塑性树脂与聚烯烃型抗静电剂的混合物形成,包含在底涂层中的聚烯烃热塑性树脂包含选自聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚(4-甲基-1-戊烯)或乙烯与碳数为3至10的α-烯烃的共聚物的至少一种。

剥离剂层优选包含聚烯烃热塑性树脂,包含在剥离剂层中的聚烯烃热塑性树脂包含例如选自聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚(4-甲基-1-戊烯)或乙烯与碳数为3至10的α-烯烃的共聚物的至少一种。此外,剥离剂层可经一个或多个其它层层压在底涂层上,但是优选直接层压在底涂层上。而且,本发明的剥离片材优选基本上不包含硅氧烷化合物。

本发明的压敏粘合剂制品包括含有基底、在基底上形成的底涂层和在底涂层上形成的剥离剂层的剥离片材,以及层压在剥离剂层上并与剥离剂层接触的压敏粘合剂层,其中,所述底涂层包含比表面电阻(ASTM D 257)小于或等于109欧姆的聚烯烃型抗静电剂,所述剥离片材的表面电阻率(JIS K 6911)小于或等于1014欧姆/□。

压敏粘合剂层优选地由丙烯酸类压敏粘合剂形成,且压敏粘合剂制品优选地基本上也不包含硅氧烷化合物。

有益效果

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社,未经琳得科株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880116874.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top