[发明专利]真空处理装置及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及真空处理装置及基板处理方法。

背景技术

目前，作为在等离子显示器用等大型基板上成膜的真空处理装置，有所谓的纵型输送式真空处理装置(例如参照专利文献1)。该装置是具备三个成膜室、基板载体、负荷锁定室的纵型真空处理装置，其构成为，在负荷锁定室内及三个成膜室内设置去路、回路这两个输送路径，并且，在最后部的成膜室具备使基板载体相对于这些输送路径横移动，从作为去路的第一输送路径向作为回路的第二输送路径移载的移载机构。即，该装置中，对每个成膜处理设置真空处理室，在基板上层叠三层膜。

专利文献1：(日本)特开2005-340425号公报(参照其权利要求1及图1)

在上述成膜构件中，若在两个输送路径之间安装加热装置，在最后部的真空处理室具备移载机构，则可实现省空间化、低成本化。

但是，伴随基板的进一步大型化，期望更省空间且紧凑的装置。另外，上述成膜装置中，由于处理路线为一个路线，因此不能在中间处理室进行路线变更。因此，存在如下问题：在各成膜室的成膜时间不同的情况下，在成膜时间长的成膜室的工作中，其它成膜室发生等待时间，作为装置整体存在工作率降低的情况。另外，由于在最后部的成膜室具备移载机构，所以基板未输送至该最后部的成膜室时，基板载体不能变更输送路径。由此，不能使基板载体从去路向回路移动，即使其它成膜室没有异常，在对最后部的成膜室进行维护时，也会存在不能使装置工作的问题。

发明内容

因此，本发明的课题鉴于上述现有技术的问题点，提供一种更紧凑的真空处理装置。另外，提供一种工作性高且功能性优异的真空处理装置。另外，本发明的其它课题是提供使用该真空处理装置，不延长生产节拍时间而可以处理基板的基板处理方法。

本发明的真空处理装置，其串联连接多个对基板进行规定处理的处理室，其特征在于，在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路、相对于第一基板输送路并排设置且输送基板的同时对基板进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路，并且，在所述多个处理室中的至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路之间使基板移动的输送路变更构件。

本发明的真空处理装置中，通过在至少两个处理室设置输送路变更构件，在设有该输送路变更构件的处理室中，即使在输送基板时基板处于第一基板输送路上，也可以使其在进行规定处理的第二基板输送路移动，因此，可进行多次相同的处理。因此，由于不需要设置多个进行相同处理的处理室，所以本发明的装置紧凑。另外，例如在按A膜、B膜、A膜的顺序形成3层的情况下，在现有的纵型输送式真空处理装置中，需要按A膜用处理室、B膜用处理室及A膜用处理室的顺序连接的三个成膜室，但本申请中只要有A膜用处理室和B膜用处理室这两个成膜处理室即可。

优选在所述处理室中串联连接的最后部的处理室和最后部的处理室以外的至少一个成膜处理室设置有所述输送路变更构件。

不仅最后部的处理室，而且在不是最后部的成膜处理室也设置所述输送路变更构件，由此，对于相同膜可在一个成膜处理室形成，因此，在实施形成多个相同膜的成膜方法的情况下，不需要对一个真空处理装置设置多个成膜处理室。该情况下，由于构成成膜处理室需要大型的电源或成膜构件等，因此，只要能够省略成膜处理室，则就可以更紧凑且实用程序少，进而低成本化。

优选的是，所述真空处理装置具备负荷锁定室、加热室、第一成膜处理室、第二成膜处理室，在第一成膜处理室和第二成膜处理室设有所述输送路变更构件，并且，第一成膜处理室和第二成膜处理室形成彼此不同的膜。根据这样的构成，可通过两个成膜处理室形成三层的膜。