[发明专利]真空处理装置及基板处理方法

权利要求书

1.一种真空处理装置，其串联连接多个对基板进行规定处理的处理室，其特征在于，

在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路、相对于第一基板输送路并排设置且输送基板的同时对基板进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路，并且，在所述多个处理室中的至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路之间使基板移动的输送路变更构件。

2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，在所述处理室中串联连接的最后部的处理室和最后部的处理室以外的至少一个处理室设置有所述输送路变更构件。

3.如权利要求1或2所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置具备负荷锁定室、加热室、第一成膜处理室、第二成膜处理室，在第一成膜处理室和第二成膜处理室设有所述输送路变更构件，并且，第一成膜处理室和第二成膜处理室形成彼此不同的膜。

4.一种基板处理方法，其使用真空处理装置、在各处理室对基板进行规定处理，所述真空处理装置串联连接多个对基板进行规定处理的处理室，且设有遍及该多个处理室间设置的第一基板输送路、和相对于第一基板输送路并排设置且输送所述基板的同时对各处理室内的基板进行规定处理的第二基板输送路，并且，在所述多个处理室中至少两个处理室设置有用于使基板在第一基板输送路及第二基板输送路之间移动的输送路变更构件，其特征在于，该基板处理方法具有：

在一处理室对第一基板进行规定处理的第一基板处理工序；

在一处理室对第二基板进行规定处理的第二基板处理工序；

在其它处理室对在所述第一基板处理工序中进行了规定处理的第一基板及第三基板分别进行规定处理的其它基板处理工序；

在一处理室对在所述其它基板处理工序中进行了规定处理的第三基板进行规定处理的第三基板处理工序，

所述其它基板处理工序在所述第二基板处理工序中进行，

并且，在所述其它基板处理工序中，通过设于所述其它处理室的输送路变更构件使被搬入到所述其它处理室内的第一基板及第三基板的至少之一在所述第一基板输送路及所述第二基板输送路之间移动。

5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，

所述其它基板处理工序具备：

所述第一基板经由第一基板输送路被搬入所述其它处理室，之后利用所述输送路变更构件从所述第一基板输送路向所述第二基板输送路移动后，进行规定处理，在规定处理结束后，经由所述第二基板输送路从所述其它处理室搬出的工序；

所述第三基板经由所述第一基板输送路被搬入所述其它处理室内，之后利用所述输送路变更构件从所述第一基板输送路向所述第二基板输送路移动后，进行规定处理，在规定处理结束后，经由所述第二基板输送路搬入所述一处理装置的工序。

6.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，

所述其它基板处理工序具备：

所述第一基板经由第一基板输送路被搬入所述其它处理室内，利用所述输送路变更构件从所述第一基板输送路向所述第二基板输送路移动后，进行规定处理，在规定处理结束后，利用所述输送路变更构件从所述二基板输送路向所述第一基板输送路移动的工序；

所述第三基板经由所述第二基板输送路向所述其它处理室内被搬入，进行规定处理，在规定处理结束后，经由所述第二基板输送路搬入所述一处理装置的工序。

7.一种基板处理方法，其使用真空处理装置、在各处理室对基板进行规定处理，所述真空处理装置串联连接多个对基板进行规定处理的处理室，且设有遍及该多个处理室间设置的第一基板输送路、和相对于第一基板输送路并排设置且输送所述基板的同时对各处理室内的基板进行规定处理的第二基板输送路，并且，在所述多个处理室中的至少两个处理室设置有用于使基板在第一基板输送路及第二基板输送路之间移动的输送路变更构件，其特征在于，

在规定的处理室，利用输送路变更构件在第一基板输送路及第二基板输送路之间移动两次以上，同时，在该规定的处理室进行两次以上的规定处理。