[发明专利]用于无机材料的选择区域沉积的有机硅氧烷材料

权利要求书

1.一种用于形成构图薄膜的原子层沉积方法，包括：

(a)提供基板；

(b)向基板涂布含有沉积抑制剂材料的组合物，其中该沉积抑制 剂材料包含有机硅氧烷聚合物，该聚合物可以任选地被交联；

(c)在步骤(b)后或在与涂布沉积抑制剂材料的同时对沉积抑制 剂材料进行构图，从而有效地提供没有沉积抑制剂材料的选择区域； 以及

(d)通过原子层沉积，将无机薄膜沉积在基板上；

其中，该无机薄膜基本上仅沉积在没有沉积抑制剂材料的基板的 选择区域中。

2.权利要求1的方法，其中所述有机硅氧烷聚合物包含交联的乙 烯基封端的硅氧烷。

3.权利要求1的方法，其中所述有机硅氧烷聚合物是氟化的或部 分氟化的有机硅氧烷。

4.权利要求1的方法，其中所述有机硅氧烷聚合物是在将聚合物 涂布到基板上之后并在步骤(c)的构图过程之前或之中发生交联的。

5.权利要求1的方法，其中包含沉积抑制剂材料的所述组合物进 一步含有辐射敏感聚合物。

6.权利要求5的方法，其中所述辐射敏感聚合物是聚甲基丙烯酸 甲酯。

7.权利要求1的方法，其中所述无机薄膜是金属或所述无机薄膜 包括含金属的化合物。

8.权利要求7的方法，其中所述含金属的化合物包括V族或VI 族阴离子。

9.权利要求7的方法，其中所述含金属的化合物是氧化物、氮化 物、硫化物或磷化物。

10.权利要求7的方法，其中所述含金属的化合物含有锌、铝、 钛、铪、锆和/或铟。

11.权利要求7的方法，其中所述金属是铜、钨、铝、镍、钌或 铑。

12.权利要求1的方法，其中所述沉积抑制剂材料在使用中的抑 制能力至少为其中抑制能力的值是以在沉积抑制剂材料表面 形成的薄膜和在基板上形成的薄膜之间的差别计算得到。

13.权利要求1的方法，其中所述涂布和构图沉积抑制剂材料的 方法包括沉积均匀层的沉积抑制剂材料，然后对该层进行构图。

14.权利要求1的方法，其中所述涂布和构图沉积抑制剂材料的 方法包括将沉积抑制剂材料进行构图沉积。

15.权利要求14的方法，其中所述构图沉积是喷墨印刷、凹版印 刷、苯胺印刷、给体转移、微接触印刷或胶版印刷。

16.权利要求1的方法，其中所述原子层沉积包括空间依赖型原 子层沉积，所述空间依赖型原子层沉积是连续地提供每种反应气，并 移动基板接连通过每种气体，在空间依赖型原子层沉积系统中，存在 相对恒定的气体组成，但它们处于处理系统中的特定区域或空间。

17.权利要求16的方法，其中所述空间依赖型原子层沉积包括： 同时引导一系列气流沿着伸长的基本平行的通道，其中所述一系列气 流按顺序包括：至少第一反应物气态材料、惰性吹扫气、第二反应物 气态材料，任选地重复多次，其中所述第一反应物气态材料能够与用 所述第二反应物气态材料处理过的基板表面反应而形成薄膜，且其中所 述方法是在大气压下或高于大气压下进行，且在沉积过程中基板的温度 低于250℃。

18.权利要求17的方法，其中所述一系列气流是由沉积装置提 供，所述沉积装置包括：在俯视方向面向基板的一系列基本平行的开 放的伸长的输出开口，所述输出开口位于基板之上与之靠近处，并在 沉积装置的输出面内，该输出面与进行原子层沉积的基板表面的距离 在1mm内。

19.权利要求18的方法，其中在所述一系列开放的伸长的输出开 口之间具有伸长的用于第一反应物气态材料和第二反应物气态材料 的排气开口。

20.权利要求18或19的方法，其中所述基板的给定区域暴露于 伸长的输出开口中的气流的时间少于100毫秒。