[发明专利]发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种发光器件及其制造方法。

背景技术

发光二极管(LED)是将电流转化成光的半导体发光器件。

由LED发出的光的波长根据制造LED所用的半导体材料来确 定。这是因为发出的光的波长对应于所述半导体材料的带隙，所述 带隙定义为价带中的电子与导带中的电子之间的能量差。

最近，LED的亮度逐渐增强，LED被用作显示器的光源、车辆 的光源和照明的光源。另外，通过使用磷光体材料或者将具有不同 颜色的LED结合，可以实现发白光的高效率LED。

同时，LED的亮度取决于各种条件，如有源层的结构、能将光 有效地提取到外部的光提取结构、芯片尺寸以及包围LED的模制元 件的种类。

发明内容

技术问题

实施方案提供一种具有新结构的发光器件及其制造方法。

实施方案还提供一种具有增强的光提取效率的发光器件及其制 造方法。

技术方案

在一个实施方案中，一种发光器件包括：第二导电型半导体层； 在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导 电型半导体层；和在所述第一导电型半导体层上的非导电半导体层， 所述非导电半导体层包括光提取结构。

在一个实施方案中，一种发光器件包括：第二导电型半导体层； 在所述第二导电型半导体层上的有源层；在所述有源层上的第一导 电型半导体层；在所述第一导电型半导体层上的非导电半导体层； 和在所述非导电半导体层上的包括光提取结构的光提取层。

在一个实施方案中，一种制造发光器件的方法包括：在衬底上 形成非导电半导体层；在非导电半导体层上形成第一导电型半导体 层、有源层和第二导电型半导体层；在所述第二导电型半导体层上 形成第二电极层；移除衬底；和在非导电半导体层上形成光提取结 构。

有益效果

实施方案可提供一种具有新结构的发光器件及其制造方法。

并且，实施方案可提供一种具有增强的光提取效率的发光器件 及其制造方法。

附图说明

图1是说明根据第一实施方案的横向型发光器件的视图。

图2是说明根据第二实施方案的垂直型发光器件的视图。

图3～7是说明在平面中具有孔结构或柱结构的单元图案的排列 的视图。

图8～10是显示当改变图2中所示垂直型发光器件的结构因子 时光提取效率的模拟结果图。

图11～14是说明根据第三实施方案的发光器件及其制造方法的 视图。

图15和16是说明根据第四实施方案的发光器件及其制造方法 的视图。

图17和18是说明根据第五实施方案的发光器件及其制造方法 的视图。

发明模式

现在将详细参考本发明公开的实施方案，其中实施例结合附 图来说明。

对本领域技术人员显而易见的是可在不背离本发明的精神和 范围的情况下对本发明中进行各种修改和改变。因此，本发明旨 在包含对本发明的修改和改变，只要它们在所附权利要求及其等 同物的范围内即可。

在全部附图中相同的附图标记表示相同的要素。在图中，为 清楚起见，将层、膜、区域等的厚度进行了放大。

在下述说明中，应理解当层(或膜)称为在另一层或衬底“上” 或“下”时，其可以直接在所述另一层或衬底上或下，或者也可 以存在中间层。另外，应理解当构成要素如“表面”称为“内部” 时，是指该表面比其他构成要素更加远离器件的外侧。

还应理解，附图中的构成要素的方位并不是限制性的。另外， 当提到“直接”时，是指不存在中间构成要素。措辞“和/或”是 指相关构成要素的一个或更多个或者组合都是可能的。

图1是说明根据第一实施方案的横向型发光器件的视图。图2 是说明根据第二实施方案的垂直型发光器件的视图。

参考图1，横向型发光器件包括：衬底10、在衬底10上的未 掺杂的氮化镓(GaN)层24、在未掺杂的GaN层24上的发光半 导体层20、和在发光半导体层20上的欧姆接触层30。

发光半导体层20包括：第一导电型半导体层23、有源层22和 第二导电型半导体层21。发光半导体层20可由GaN基材料形成。