[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第二导电型半导体层；

在所述第二导电型半导体层上的有源层；

在所述有源层上的第一导电型半导体层；

在所述第一导电型半导体层上的非导电半导体层，所述非导电半 导体层包括光提取结构；和

在所述第二导电型半导体层下的第二电极层，

在所述第一导电型半导体层上的第一电极层；

其中所述第二电极层包括：在所述第二导电型半导体层下的欧姆 接触层；在所述欧姆接触层下的反射层；和在所述反射层下的 导电衬底，

其中所述光提取结构包括从所述非导电半导体层的上表面以预 定深度蚀刻的区域，

其中所述蚀刻的区域的深度具有λ/n或更大的深度，其中n为所 述非导电半导体层的折射率，λ为从所述有源层发出的光的波 长，

其中所述第一电极层是在其中选择性地移除所述非导电半导体 层和所述第一导电型半导体层的区域中形成的，

其中所述有源层与所述第二电极层之间的距离比从所述有源层 发出的光的波长短，

其中所述非导电半导体层是未掺杂的GaN层并且具有500nm～ 2000nm的厚度，

其中所述光提取结构形成为孔或柱的形状，

其中构成所述光提取结构的孔的半径为0.325a～0.40a，其中a 定义为所述光提取结构的栅格常数并且为800nm，其中蚀刻深 度为225nm。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二导电半导体层、 所述有源层和所述第一导电半导体层由GaN基材料形成。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一导电半导体层为 n型半导体层并且所述第二导电半导体层为p型半导体层。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的发光器件，其中所述光提取结 构是通过选择性地蚀刻所述非导电半导体层和所述第一导电型半导 体层形成的。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的发光器件，其中所述光提取结 构是光子晶体。

6.一种发光器件，包括：

第二导电型半导体层；

在所述第二导电型半导体层上的有源层；

在所述有源层上的第一导电型半导体层；

在所述第一导电型半导体层上的非导电半导体层；

在所述非导电半导体层上的包括光提取结构的第一光提取层；

在所述第一光提取层上的包括光提取结构的第二光提取层；

在所述第一导电型半导体层上的第一电极层；和

在所述第二导电型半导体层下的第二电极层，

其中所述第二电极层包括：在所述第二导电型半导体层下的欧姆 接触层；和在所述欧姆接触层下的反射层，

其中所述第二光提取层具有小于所述第一光提取层的第一折射 率的第二折射率，

其中所述第一光提取层由具有等于或大于所述第一导电型半导体 层和所述非导电半导体层的折射率的第一折射率的材料形成，

其中所述第一电极层是在其中选择性地移除所述第一和第二光 提取层、所述非导电半导体层和所述第一导电型半导体层的区域 中形成的，

其中所述第一导电半导体层为n型半导体层并且所述第二导电半 导体层为p型半导体层，

其中所述第一光提取层和所述第二光提取层由非导电材料形成，

其中所述有源层与所述第二电极层之间的距离比从所述有源层发 出的光的波长短，

其中所述非导电半导体层具有500nm～2000nm的厚度并且由未 掺杂的GaN层形成，

其中构成所述光提取结构的孔的半径为0.325a～0.40a，其中a 定义为所述光提取结构的栅格常数并且为800nm，其中蚀刻深 度为225nm。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第二电极层包括在所 述反射层下的导电衬底。