[发明专利]载体箔片

权利要求书

1.用于柔性电路板的、具有多个箔片层的载体箔片，所述载体箔 片由如下聚合物材料制得，所述聚合物材料包括能热塑加工的TFE共 聚物，所述TFE共聚物具有共聚单体份额约2摩尔%或更少，其中， 以冷却辊来制备所述箔片的层，以及其中，所述载体箔片的一个层或 多个层是以铜镀覆的。

2.根据权利要求1所述的载体箔片，其特征在于，共聚单体份额 为约1摩尔%或更少。

3.根据权利要求2所述的载体箔片，其特征在于，共聚单体份额 为约0.5摩尔%或更少。

4.根据权利要求1至3之一所述的载体箔片，其特征在于，所述 共聚单体选自六氟丙烯、全氟烷基乙烯基醚、全氟-（2,2-二甲基-1,3- 二氧杂环戊烯）和/或三氟氯乙烯。

5.根据权利要求4所述的载体箔片，其特征在于，所述共聚单体 是全氟烷基乙烯基醚。

6.根据权利要求5所述的载体箔片，其特征在于，所述全氟烷基 乙烯基醚是全氟正丙基乙烯基醚。

7.根据权利要求1至3之一所述的载体箔片，其特征在于，借助 电沉积产生所述铜镀覆物。

8.根据权利要求1至3之一所述的载体箔片，其特征在于，所述 铜镀覆物的厚度为约20微米或更少。

9.根据权利要求8所述的载体箔片，其特征在于，所述铜镀覆物 的厚度为约12微米或更少。

10.根据权利要求9所述的载体箔片，其特征在于，所述铜镀覆 物的厚度为约6微米或更少。

11.根据权利要求9所述的载体箔片，其特征在于，所述铜镀覆 物的厚度为3微米或更少。

12.根据权利要求1所述的载体箔片，其特征在于，所述聚合物 材料在单个层中的无定形份额为约50重量%或更多。

13.根据权利要求1或12所述的载体箔片，其特征在于，所述载 体箔片的层在第一表面上的算术平均粗糙度为约1微米或更少，并且 在冷却辊侧的对置表面上的算术平均粗糙度为约0.8微米或更少。

14.根据权利要求13所述的载体箔片，其特征在于，所述载体箔 片的层在第一表面上的算术平均粗糙度为约0.6微米或更少，并且在冷 却辊侧的对置表面上的算术平均粗糙度为约0.5微米或更少。

15.根据权利要求14所述的载体箔片，其特征在于，所述载体箔 片的层在第一表面上的算术平均粗糙度为约0.3微米或更少，并且在冷 却辊侧的对置表面上的算术平均粗糙度为约0.25微米或更少。

16.根据权利要求14所述的载体箔片，其特征在于，所述对置表 面的算术平均粗糙度为约0.2微米或更少。

17.用于制备根据权利要求1至16之一所述的载体箔片的方法， 所述方法包括：

以冷却辊方法制备所述箔片的层，其中，以如下方式调整所述冷 却辊的温度，即，实现无定形份额为约50重量%或更多，其中，对所 述层的至少一个设有铜镀覆物。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，将所述铜镀覆物 电沉积在层上。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，在电沉积所述铜 镀覆物之前，对待镀覆的表面进行活化。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，对所述表面的活 化包括对表面进行粗糙化。

21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，对表面的粗糙化 包括借助离子束技术或离子径迹技术、和/或等离子体束和/或电子束和 /或激光束来处理所述表面。

22.根据权利要求17至21之一所述的方法，其特征在于，为了 进行铜镀覆，首先通过真空涂覆直接在包含纳米复合物的、纳米结构 化的过渡层上形成铜起始层，并且通过化学工艺或电化学工艺以在所 述铜起始层之上形成的方式来施加铜层的主体部分。