[发明专利]有机EL器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及对显示器用途有用的有机EL器件及其制造方法。更详 细而言，涉及防止来自外部环境的水分的侵入，在长期间具有优良的 发光效率的有机EL器件及其制造方法。

背景技术

近年，广泛进行在显示器用途中、使用自发光型的有机EL元件的 有机EL器件的研究。有机EL器件被期待能够实现高的发光亮度和发 光效率。这是因为，能够以低电压实现高的电流密度。特别是在显示 器的技术领域中，期望实现多色彩显示、特别是能够进行全彩色显示 的高清晰的多色发光有机EL器件。

有机EL器件作为彩色显示器实用化的重要课题，是除了实现高清 晰度外，还具有包括色再现性的长期的稳定性。但是，多色发光有机 EL器件具有由于一定期间的驱动而导致发光特性(电流-亮度特性)显 著下降的问题。

该发光特性的下降的主要原因是暗点(dark spot)的生成。“暗点” 是指发光缺陷点。该暗点考虑是由于元件中的氧或水分而在驱动时和 保存中有机EL元件的构成层的材料氧化或凝集而产生的。暗点的生成 不仅在通电时、而且在保存中也进行。特别是，认为暗点的生成(1) 由于元件周围的外部环境中存在的氧或水分而加速，(2)被在构成层 中作为吸附物存在的氧或水分影响，以及(3)被器件制造中使用的部 件所吸附的水分或制造时的水分侵入影响。当该生成继续时，暗点向 有机EL器件的整个发光面扩展。

在现有技术中，作为防止水分向有机EL元件的构成层侵入的方 法，存在使用金属罐、玻璃板密封有机EL元件的方法，或在密封有机 EL元件的空间内配置干燥剂的方法。但是，为了有效利用有机EL器 件的轻且薄的特征，不使用干燥剂、而用薄膜密封的技术受到关注。

作为密封用的薄膜，使用氮化硅、氮氧化硅等。但是，为了抑制 这些材料在制膜时对发光层的损伤，需要将制膜面的温度上升至少抑 制为发光层的玻璃化温度以下。因此，存在如下问题：对有机EL器件 不能够应用在半导体工序中开发的制膜方法，不能够形成具有充分的 防湿性的密封用的薄膜。

于此相对，在日本特开2005-209356号公报中，作为能够应用于有 机EL器件的密封用薄膜，提案有通过溅射法或等离子体CVD法形成 的氮氧化硅膜(参照专利文献1)。在专利文献1中公开了如下内容： 为了兼顾高的气体阻隔性和高的光透过率，使用组成连续且倾斜地变 化的倾斜氮氧化硅膜，或使用氮氧化硅膜和氮化硅膜的2层叠层膜。

另外，在日本特开2005-222778号公报中，作为有机EL器件能够 使用的密封用薄膜，提案有具有压缩应力的氮化硅膜和具有拉伸应力 的氮化硅膜的叠层膜(参照专利文献2)。在专利文献2中，公开有如 下内容：利用氮化硅膜中形成的Si-H键的数量，能够控制压缩应力和 拉伸应力的大小以及氮化硅膜的折射率。但是，由于形成叠层膜的氮 化硅膜中的主键为Si-N，因此存在如下问题：各层间的晶格常数(lattice constant)的变化小，具有成为基底的层的缺陷，形成包括缺陷的氮化 硅膜。

近年来，为了提高有源矩阵驱动型的有机EL器件的开口率，将光 取出至制作有包括TFT等的开关电路的基板的相反侧的、所谓的顶部 发光型结构的器件成为主流。在该结构中，在有机EL层之上形成有透 明电极和密封膜，从有机EL层发出的光通过密封膜向外部放出。作为 上部电极使用的ITO、IZO的折射率约为2，与外部大气以及形成于光 取出方向的粘接层、保护基板的折射率差较大。专利文献1的密封膜， 因为对光的行进方向的折射率没有规定，所以具有透过率变低的缺点。

另外，在保护膜的制膜过程中连续地使制膜气体的比率变化的方 法，由于在原子排列的不规则处、台阶部等产生的膜的生长方向的不 同而形成的界面等的膜缺陷连续生长，因此该膜缺陷可能导致局部的 防湿性降低。

专利文献1：日本特开2005-209356号公报

专利文献2：日本特开2005-222778号公报

发明内容

本发明的目的在于，通过使用具有高的可见光透过率和优良的防 湿性的保护膜，提供具有长期发稳定性的有机EL器件。本发明的其他 的目的在于提供上述那样的有机EL器件的制造方法。