[发明专利]有机EL器件及其制造方法

权利要求书

1.一种有机EL器件，其包括基板、形成在所述基板上的有机EL 元件和通过粘接层贴合在有机EL元件上的保护基板，该有机EL器件 的特征在于：

所述有机EL元件由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构 成，

所述保护层是从靠近上部电极的一侧起从第1层至第n层的叠层 体，在此n为3以上的整数，保护层中的各层由氮氧化硅或氮化硅构 成，保护层中的相邻的2个层具有不同的化学组成，

保护层的第1层具有比上部电极小的折射率，

保护层的第n层具有比粘接层大的折射率，并且

就从2到n的各个整数k而言，保护层的第k层的折射率满足保 护层的第k-1层的折射率＞保护层的第k层的折射率的关系。

2.一种有机EL器件，其包括基板、形成在所述基板上的有机EL 元件和通过粘接层贴合在有机EL元件上的保护基板，该有机EL器件 的特征在于：

所述有机EL元件由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构 成，

所述保护层是从靠近上部电极的一侧起从第1层至第n层的叠层 体，在此n为3以上的整数，保护层中的各层由氮氧化硅或氮化硅构 成，保护层中的相邻的2个层具有不同的化学组成，

就从2到n的各个整数k而言，通过红外吸收光谱测定求取的、 保护层中的第k层的Si-O键与Si-N键的伸缩模式的峰面积之比 Si-O/Si-N面积比，满足保护层的第k-1层的Si-O/Si-N面积比＜保护层 的第k层的Si-O/Si-N面积比的关系，

保护层中的第n层的Si-O/Si-N面积比为0.8以下，并且

就从1到n的各个整数m而言，通过红外吸收光谱测定求取的、 保护层中的第m层的N-H键与Si-N键的伸缩模式的峰面积之比 N-H/Si-N面积比小于0.1。

3.一种有机iL器件的制造方法，其包括：

在基板上依次形成下部电极、有机EL层、上部电极和保护层，从 而形成有机EL元件的工序；和

通过粘接层在该有机EL元件上贴合保护基板的工序，

保护层是从靠近上部电极的一侧起从第1层至第n层的叠层体， 在此n为3以上的整数，保护层中的各层由氮氧化硅或氮化硅构成， 保护层中的相邻的2个层具有不同的化学组成，

保护层的第1层具有比上部电极小的折射率，

保护层的第n层具有比粘接层大的折射率，并且

就从2到n的各个整数k而言，保护层的第k层的折射率满足保 护层的第k-1层的折射率＞保护层的第k层的折射率的关系，

该有机EL器件的制造方法的特征在于：

形成所述保护层的各层，通过使用甲硅烷、氨、氧化亚氮(N₂O) 和氮作为原料气体，利用等离子体CVD法而形成，在该等离子体CVD 法中，氨气体相对于甲硅烷气体的流量比大于等于0.5、小于1.0，氧 化亚氮气体相对于甲硅烷气体的流量比大于等于0、小于0.8；并且

就从2到n的各个整数k而言，形成保护层的第k层时的氧化亚 氮气体的流量满足形成保护层的第k-1层时的氧化亚氮气体的流量＜ 形成保护层的第k层时的氧化亚氮气体的流量的关系。