[发明专利]用于制造其上以凹坑图案记录信息的介质的方法无效

专利信息
申请号: 200880102843.5 申请日: 2008-05-16
公开(公告)号: CN101785057A 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 宇佐美由久;渡边哲也 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: G11B7/26 分类号: G11B7/26;B41M5/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 陈平
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 图案 记录 信息 介质 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制造其上以凹坑图案记录信息的介质的方法,该方 法包括以下步骤:

在无机物质的基板的上方形成记录材料层,其中所述记录材料层 具有热变形性热模式记录材料,所述热变形性热模式记录材料包含有 机染料;

在所述记录材料层上形成阻挡层;

通过向所述记录材料层和所述阻挡层照射会聚光,形成多个孔; 以及

在所述基板中形成多个凹坑,其中与所述多个孔对应的多个凹坑 是通过使用其中形成所述多个孔的所述记录材料层和所述阻挡层作 为掩模而蚀刻的。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述阻挡层被配置用于防 止所述记录材料层受损。

3.根据权利要求1所述的方法,

其中所述形成记录材料层的步骤包括:

在所述基板上形成掩模层;以及

在所述掩模层上形成所述记录材料层,并且

其中所述形成多个凹坑的步骤包括:

在所述掩模层中形成多个通孔,其中与所述多个孔对应的所 述多个通孔是通过使用其中形成所述多个孔的所述记录材料层作为 掩模而蚀刻的;和

形成所述多个凹坑,其中与所述多个通孔对应的所述多个凹 坑是在所述基板中通过使用其中形成所述多个通孔的掩模层作为掩 模而蚀刻的。

4.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括:从其中形成所 述多个凹坑的所述基板除去所述记录材料层。

5.根据权利要求3所述的方法,该方法还包括:从其中形成所 述多个凹坑的所述基板除去所述掩模层。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,该方法还包括: 在其中形成所述多个凹坑的所述基板的上方安置保护层。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,该方法还包括: 在所述基板的上方安置反射层。

8.根据权利要求7所述的方法,该方法还包括:在所述反射层 的上方安置保护层。

9.一种其上以可光学读取的方式记录信息的介质,该介质是通 过根据权利要求8所述的方法制造的。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中所述形成多 个凹坑的步骤包括:通过干法蚀刻工艺对所述基板蚀刻。

11.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中所述形成多 个凹坑的步骤包括:通过各向异性蚀刻工艺对所述基板蚀刻。

12.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中所述形成多 个凹坑的步骤包括:通过反应性离子蚀刻工艺对所述基板蚀刻。

13.一种通过根据权利要求6所述的方法制造的信息记录介质。

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