[发明专利]薄膜晶体管电路、发光显示装置及其驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管电路、发光显示装置及其驱动方法。特别 地，根据本发明的发光显示装置及其驱动方法分别适用于以类似矩阵 的方式包括像素的发光显示装置及其驱动方法，其中每个像素由发光 器件和用于向发光器件提供电流的驱动电路组成。这里应当注意，例 如，有机电致发光(EL)器件可用作发光器件。

背景技术

近来，已经研究和开发了使用有机EL器件作为发光器件的有机 EL显示器。在象这样的有机EL显示器中，通常使用其中在每个像素 中提供驱动电路的有源矩阵(AM)有机EL显示器，以延长有机EL 器件的寿命和实现高质量图像。相关驱动电路由在诸如玻璃或塑料等 的基板上形成的薄膜晶体管(TFT)构成。在有机EL显示器中，基 板和驱动电路部分被一起称为背板(back plane)。

作为用于有机EL显示器的背板的TFT，已经研究了非晶 (amorphous)硅(下文中称为a-Si)或多晶硅(下文中称为p-Si) 等。此外，新近已经提出了其中使用非晶氧化物半导体(在下文中称 为AOS)作为其沟道层的TFT。这里，例如，使用非晶In(铟)-Ga (镓)-Zn(锌)-O(氧化物)(在下文中称为a-IGZO)作为AOS 的材料。此外，例如，使用非晶Zn(锌)-In(铟)-O(氧化物)(在 下文中称为a-ZIO)作为AOS的材料。可以想到，其中使用AOS作 为其沟道层的TFT具有十倍于或更多倍于a-Si TFT的迁移率并且还 具有因非晶性引起的高均匀性。因此，其中使用AOS作为其沟道层 的TFT有希望成为用于显示器的背板的TFT。在例如“Nomura，et al.， Room-Temperature Fabrication of Transparent Flexible Thin Film Transistors using Amorphous Oxide Semiconductors，Nature，vol.432， PP.488-492(2004)”和“Yabuta，et al.，High-Mobility Thin-Film Transistor with Amorphous InGaZnO4 Channel Fabricated by Room Temperature RF-magnetron Sputtering，Appl.Phys.Lett.(APL)，89， 112123(2006)”中公开了其中使用AOS作为其沟道层的TFT。

不管怎样，在通过有源矩阵(AM)有机EL显示器实现高质量 显示器的情况下存在数个问题。更具体地，(1)有机EL器件的电压 -亮度特性随时间改变，(2)作为驱动电路的构成元件的TFT的特性 相互不同，以及(3)TFT的特性因电应力而改变。

这里，在将AOS-TFT用于驱动电路的情况中，由于AOS-TFT 的均匀性高并且采用了用于控制从AOS-TFT提供给有机EL器件的 电流的驱动电路，因此可以改善上文的问题(1)和(2)。

另一方面，由于AOS-TFT的特性因电应力而改变，因而上文的 问题(3)仍然还在。

发明内容

本发明的目的在于抑制随由于电应力引起的TFT的特性改变的 显示质量的劣化。

本发明的一种驱动薄膜晶体管电路的方法，其中该薄膜晶体管电 路包括薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和 源极端之间的电应力而改变，该方法的特征在于包括：在该薄膜晶体 管未被驱动时将电应力施加在该栅极端和该源极端之间，以便于在阈 值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。

此外，本发明的一种驱动发光显示装置的方法，其中该发光显示 装置包括多个像素，每个像素具有发光器件和用于驱动该发光器件的 驱动电路，该方法的特征在于，该驱动电路包括至少一个薄膜晶体管， 该至少一个薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的 电应力而可逆地改变，并且该驱动方法包括：在该发光显示装置的非 显示期间中将电应力施加在该薄膜晶体管的栅极端和源极端之间，以 便于在阈值电压相对于电应力饱和的区域中驱动该薄膜晶体管。