[发明专利]薄膜晶体管电路、发光显示装置及其驱动方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管电路的驱动方法，所述薄膜晶体管电路被用 来驱动具有薄膜晶体管的显示器，所述薄膜晶体管的阈值电压因施加 在栅极端和源极端之间的电应力而可逆地改变并且所述薄膜晶体管 在其沟道层中包括非晶氧化物半导体，所述驱动方法包括：

在所述薄膜晶体管未被驱动、即显示器未被驱动时将电应力施加 在所述栅极端和所述源极端之间，以便于在所述阈值电压对于所述电 应力饱和的区域中驱动所述薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管电路的驱动方法，其中通过 使所述薄膜晶体管的栅极电位高于所述薄膜晶体管的源极电位，来施 加所述电应力。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管电路的驱动方法，其中在施 加所述电应力时，使所述薄膜晶体管的所述栅极电位等于或高于漏极 电位。

4.一种发光显示装置的驱动方法，所述发光显示装置包括多个 像素，每个像素具有发光器件和用于驱动所述发光器件的驱动电路， 其中

所述驱动电路包括至少一个薄膜晶体管，所述至少一个薄膜晶体 管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应力而可逆地改变，

所述薄膜晶体管的沟道层包括非晶氧化物半导体，并且

所述驱动方法包括：在所述发光显示装置的非显示期间中将所述 电应力施加在所述薄膜晶体管的所述栅极端和所述源极端之间，以便 于在所述阈值电压对于所述电应力饱和的区域中驱动所述薄膜晶体 管。

5.如权利要求4所述的发光显示装置的驱动方法，其中通过使 所述薄膜晶体管的栅极电位高于所述薄膜晶体管的源极电位，来施加 所述电应力。

6.一种薄膜晶体管电路，其被用来驱动具有薄膜晶体管的显示 器，所述薄膜晶体管的阈值电压因施加在栅极端和源极端之间的电应 力而可逆地改变；并且

所述薄膜晶体管电路包括电压施加单元，其适于在所述薄膜晶体 管的所述栅极端和所述源极端之间施加电压作为所述电应力，其中

所述薄膜晶体管的沟道层包括非晶氧化物半导体，以及

所述电压施加单元在所述薄膜晶体管未被驱动、即显示器未被驱 动时将所述电应力施加在所述栅极端和所述源极端之间，以便于在所 述阈值电压对于所述电应力饱和的区域中驱动所述薄膜晶体管。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管电路，其中所述电压施加单 元使所述薄膜晶体管的栅极电位高于所述薄膜晶体管的源极电位。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管电路，其中所述薄膜晶体管 使用至少包括铟和锌的非晶氧化物半导体作为沟道层。

9.一种发光显示装置，其包括多个像素，每个像素具有发光器 件和用于驱动所述发光器件的驱动电路，其中

所述驱动电路包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的阈值电压因 施加在栅极端和源极端之间的电应力而可逆地改变；和电压施加单 元，其适于在所述薄膜晶体管的所述栅极端和所述源极端之间施加电 压作为所述电应力，

所述薄膜晶体管的沟道层包括非晶氧化物半导体，并且

所述电压施加单元在所述发光显示装置的非显示期间中将所述 电应力施加在所述薄膜晶体管的所述栅极端和所述源极端之间，以便 于在所述阈值电压对于所述电应力饱和的区域中驱动所述薄膜晶体 管。

10.如权利要求9所述的发光显示装置，其中所述电压施加单元 使所述薄膜晶体管的栅极电位高于所述薄膜晶体管的源极电位。

11.如权利要求9所述的发光显示装置，其中施加所述电压所需 的电力由所述发光显示装置提供或者从包括所述发光显示装置的系 统中设置的电池提供。

12.如权利要求9所述的发光显示装置，其中在所述发光显示装 置的所述薄膜晶体管中使用至少包括铟和锌的非晶氧化物半导体作 为其沟道层。