[发明专利]有机电致发光装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光装置的制造方法。以下，有时将电致发光(Electro Luminescence)简称为EL。

背景技术

有机EL元件具有下述构造：在至少其中之一是透明或半透明的一对电极间，夹持着包含发光层的有机EL层，该发光层包含有机发光材料。当向具有这种构造的有机EL元件的一对电极间施加电压时，在发光层中，自阴极注入电子，自阳极注入空穴，这些电子及空穴在发光层中进行再结合。继而，利用此时所产生的能量来对发光层中的发光材料进行激发，从而由发光层来发光。在本说明书中，将在基板上形成了有机EL元件的装置称为有机EL装置。例如，在平板状的基板上形成着有机EL元件的有机EL装置可用于面状光源、段式(segment)显示装置、点矩阵(dotmatrix)显示装置等。

若有机EL元件暴露于水蒸气或氧气中则会导致劣化。因此，例如于玻璃基板等的基板上，依次层叠阳极、包含发光层的有机EL层及阴极而形成有机EL元件之后，利用由氮化硅等形成的无机钝化膜以及在无机钝化膜的表面上的由树脂形成的树脂密封膜来包覆整个有机EL元件，由此防止因有机EL元件与水蒸气接触而引起的劣化(例如，参照专利文献1)。此处，无机钝化膜系利由等离子体化学气相沉积(Chemical VaporDeposition)法或溅射法而形成。

专利文献1：日本特开2000-223264号公报

然而，先前存在用以形成无机钝化膜的各种溅射法，但一般是使用成膜速度较快的磁控溅射法(magnetron sputtering method)。如上所述，该磁控溅射法能以较高的成膜速度(rate)来形成无机钝化膜，但存在无法形成对水蒸气或氧的阻隔(barrier)性较高的被膜的问题。而且，先前的无机钝化膜的形成时所用的CVD法，虽能以较高的成膜速度来形成无机钝化膜，并且与磁控溅射法相比可降低对发光层的损害(damage)，但仍存在无法形成对水蒸气或氧的阻隔性较高的被膜的问题。即，在利用磁控溅射法或CVD法形成的无机钝化膜中存在下述问题：会产生针孔(pinhole)等的缺陷，从而导致外部的水蒸气或氧等的气体经由该缺陷而侵入至有机EL元件内。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而研发的，其目的在于提供一种有机EL装置的制造方法，其在形成包含对有机EL元件进行密封的无机物层的被膜时，可抑制对有机EL元件造成的损害，并且可形成对水蒸气或氧的阻隔性较高的被膜。

为了达成上述目的，本发明提供采用下述构成的有机EL装置的制造方法。

[1]一种有机电致发光装置的制造方法，其中，

在所述有机电致发光装置中，将有机电致发光元件搭载于支撑基板上，上述有机电致发光元件被上述支撑基板与至少包含第1无机物膜以及第2无机物膜的密封层所包围而与外界阻隔，该有机电致发光装置的制造方法包括：

利用离子束溅射法来形成上述第1无机物膜，以覆盖搭载于上述支撑基板上的有机电致发光元件的露出面的工序；以及

在形成上述第1无机物膜之后，利用与离子束溅射法不同的成膜方法来形成覆盖上述第1无机物膜的第2无机物膜的工序。

[2]如上述[1]所述的有机电致发光装置的制造方法，其中，上述与离子束溅射法不同的成膜方法是CVD法或磁控溅射法。

[3]一种有机电致发光装置的制造方法，其中，

在所述有机电致发光装置中，将有机电致发光元件搭载于支撑基板上，上述有机电致发光元件被上述支撑基板与至少包含第1无机物膜以及第2无机物膜的密封层所包围而与外界阻隔，该有机电致发光装置的制造方法包括：

利用离子束溅射法来形成上述第1无机物膜，以覆盖搭载于上述支撑基板上的有机电致发光元件的露出面的工序；以及

在形成上述第1无机物膜之后，利用与上述离子束溅射法不同的成膜方法来再形成第2无机物膜的工序，该第2无机物膜覆盖上述第1无机物膜且形成材料与上述第1无机物膜相同。

[4]如上述[3]所述的有机电致发光装置的制造方法，其中上述与离子束溅射法不同的成膜方法是CVD法或磁控溅射法。

所谓的溅射法是薄膜形成方法的1种，其是指使原子或分子尺寸的微粒撞击靶材料(薄膜的材料)，使靶材料微粒放出至气相中，并使靶材料微粒堆积于规定的基板表面上以作为薄膜的方法。有时将使原子或分子尺寸的微粒撞击靶材料而使靶材料微粒放出至气相中称为(狭义的)溅射。

所谓的离子束溅射法是溅射法的1种，其是指将离子束照射至靶材料而对靶材料微粒进行溅射的方法。