[发明专利]用于半导体部件中的叠层的增强结构

权利要求书

1.一种用于增强半导体部件中的叠层(100)的增强结构(1，2)，其特征在于：

至少一个增强元件(110，118)具有至少一个集成的锚状部分(110a，110b)。

2.根据权利要求1所述的增强结构(1，2)，其特征在于：至少一个增强元件(110，118)具有基本上为T形的形状。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的增强结构(1，2)，其特征在于：至少一个增强元件(110，118)具有基本上为I形的形状。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的增强结构(1，2)，其特征在于：至少两个增强元件(110，118)彼此互连，形成例如基本上为TT形、II形和/或基本上为T形和I形的任何组合形状的增强元件(110，118)。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的增强结构(1，2)，其特征在于：增强元件(110，118)包括金属、半导体和/或电介质材料。

6.一种半导体部件，包括叠层(100)，其特征在于：根据权利要求1-5中任一项所述的至少一个增强结构(1，2)。

7.根据权利要求6所述的半导体部件，其特征在于：

叠层(100)的至少两层通过所述至少一个增强结构(1，2)互连。

8.根据权利要求6或7的任一项所述的半导体部件，叠层(100)包括至少一个金属层(116)和至少一个电介质层(107，109，114)，其特征在于：

所述至少一个金属层(116)通过所述至少一个增强结构(1，2)连接至至少一个电介质层(107，109，114)。

9.根据权利要求6-8的任一项所述的半导体部件，所述叠层(100)包括至少一个金属层(116)和至少一个正常k的电介质层(107)的第一叠层(106)以及至少一个金属层(116)和至少一个低K的电介质层(109)的第二叠层(108)，其特征在于：

至少一个增强结构(1，2)设置在第二叠层(108)中，优选地主要设置在第二叠层(108)中，更优选地仅仅设置在第二叠层(108)中。

10.根据权利要求6-9的任一项所述的半导体部件，其特征在于：增强结构(1，2)包括多个增强元件(110，118)，而多个增强元件(110，118)排列成基本上为U形、V形、W形、M形、Λ形、ΛΛ形、锥形、截头锥形、和/或三角形的布局(1，2，120)。

11.根据权利要求6-10的任一项所述的半导体部件，包括：

半导体衬底(52)；

I/O焊盘(54)，电连接至半导体衬底(52)；

应力缓冲元件(74)，用于吸收应力，电连接至I/O焊盘(54)；

其特征在于：增强结构(1，2)主要设置在应力缓冲元件的至少一个边缘(112)的下面。

12.根据权利要求6-11的任一项所述的半导体部件，其特征在于：增强结构(1，2)的至少两个增强元件(110，118)，从垂直于叠层(100)的各层平面的方向上看，排列成交错的布局(图6D)。

13.根据权利要求6-12的任一项所述的半导体部件，其特征在于：增强元件(110，118)的垂直于叠层(100)的各层平面的部分(110c)，其长度对于大部分增强元件(110，118)来说是相同的，优选地对于所有增强元件(110，118)来说是相同的，但是，优选地当相应的增强元件(110，118)不包括锚状部分(110a，110b)时，其长度在应力缓冲元件中心区域的下面最小，优选地为零，并在平面向外的方向上逐渐增加至最大。

14.根据权利要求6-13的任一项所述的半导体部件，其特征在于：叠层(100)中的增强元件(110，118)的密集度，在应力缓冲元件中心区域的下面最小，优选地为零，并在平面向外方向上逐渐增加至最大。

15.根据权利要求6-14的任一项所述的半导体部件，其特征在于：叠层(100)中的增强元件(110，118)的最大密集度为75％。

16.一种组件，包括板和根据权利要求6-15的任一项所述的半导体部件，该半导体部件通过凸块下方金属化(70)上的焊球(60)电连接至板，该凸块下方金属化(70)电连接至应力缓冲元件。