[发明专利]具有不同掺杂的有应变的电流电极区域的晶体管

权利要求书

1.一种形成具有不同掺杂分布的结构的晶体管的方法，包括如 下步骤：

提供半导体层；

在该半导体层上形成晶体管的控制电极；

去除该控制电极侧面的该半导体层的一部分而在该控制电极的 相对两侧上形成第一凹口和第二凹口；

在第一凹口内形成第一应力源，该第一应力源具有第一原位电流 电极掺杂分布；

在第二凹口内形成第二应力源，该第二应力源具有第一原位电流 电极掺杂分布；

在第一应力源上形成第三应力源，该第三应力源具有第二原位电 流电极掺杂分布，该第二原位电流电极掺杂分布具有比第一原位电流 电极掺杂分布更高的第一导电类型电流电极掺杂浓度；以及

在第二应力源上形成第四应力源，该第四应力源具有第二原位电 流电极掺杂分布；

其中该晶体管的第一电流电极和第二电流电极分别至少包括第 三应力源和第四应力源的一部分，

邻近控制电极形成侧壁隔离物，其中所述侧壁隔离物位于第一应 力源的一部分、第二应力源的一部分、第三应力源的一部分和第四应 力源的一部分之上；

其中，第一电流电极包括延伸区；

第二电流电极包括延伸区；

第一电流电极的延伸区包括第三应力源的一部分；

第二电流电极的延伸区包括第四应力源的一部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成第一应力源的步骤和形成第二应力源的步骤包括通过在该 半导体层上外延生长半导体材料形成第一应力源和第二应力源；

形成第三应力源的步骤和形成第四应力源的步骤包括通过分别 在第一应力源和第二应力源上外延生长原位电流电极掺杂的半导体 材料来形成第三应力源和第四应力源。

3.根据权利要求2所述的方法，其中：

该晶体管是P沟道晶体管或N沟道晶体管之一；

该原位电流电极掺杂的半导体材料在该晶体管是P沟道晶体管 时是用硼原位掺杂的，而在该晶体管是N沟道晶体管时是用磷、砷或 锑构成的组中的至少一种原位掺杂的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中：

该半导体层被表征为硅层；

该晶体管被表征为P沟道晶体管或N沟道晶体管；

在该晶体管被表征为P沟道晶体管的情况下，第一应力源、第二 应力源、第三应力源和第四应力源包括硅锗；

在该晶体管被表征为N沟道晶体管的情况下，第一应力源、第二 应力源、第三应力源和第四应力源包括硅碳。

5.根据权利要求1所述的方法，还包含：

形成第三凹口和第四凹口，其中该形成第三凹口和第四凹口的步 骤包括：

去除第三应力源和第四应力源的部分以露出第一应力源和第二 应力源的一部分，其中所去除的部分包括不在侧壁隔离物下面的部分 以露出第一应力源和第二应力源的一部分，其中去除所述部分的步骤 至少留下在侧壁隔离物之下的第三应力源和第四应力源的一些部分；

去除第一应力源和第二应力源的部分；以及

形成该晶体管的第一电流电极的一部分和第二电流电极的一部 分，其中形成第一电流电极的一部分和第二电流电极的一部分的步骤 还包括在第三凹口内外延生长原位电流电极掺杂的应力源材料并且 在第四凹口内外延生长原位电流电极掺杂的应力源材料。

6.根据权利要求1所述的方法，还包含：

形成该晶体管的第一电流电极的一部分和第二电流电极的一部 分，其中形成第一电流电极的一部分和第二电流电极的一部分的步骤 还包括对位于该侧壁隔离物侧面的第三应力源和第四应力源中的每 一个的第二部分进行离子注入。

7.根据权利要求1所述的方法，还包含：

形成该晶体管的第一电流电极的一部分和第二电流电极的一部 分，其中形成第一电流电极的一部分和第二电流电极的一部分的步骤 还包括在邻近于该侧壁隔离物的第三应力源和第四应力源的露出部 分之上形成抬高的原位电流电极掺杂的电流电极区域。