[发明专利]高切割效率的切割框架

权利要求书

1.一种切割框架，其包括用于以预定倾角从矩形基底材料上切割一种或 更多种具有较小尺寸的矩形单元件的多个切割器，所述切割器安装或形成在 所述切割框架中，使得所述切割器与所述矩形单元件相对应，其中

基底材料片通过所述切割框架来切割，然后在所述基底材料片在所述基 底材料片的纵向上交迭了预定长度时再次通过所述切割框架来切割所述基底 材料片；

由于所述基底材料在纵向或横向上的固有物理性质必须通过相对于所述 矩形单元件的预定角度来表达，因此所述矩形单元件必须在成所述预定倾角 的同时被切割；

所述切割器基于所述矩形单元件的阵列结构而安装或形成在所述切割框 架中，使得除最上排矩形单元件和最下排矩形单元件以外的大多数剩余矩形 单元件被布置为在每个矩形单元件的四条边处邻近不同的矩形单元件，并且 相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成岛式剩余部；

所述矩形单元件以20度至70度角倾斜；并且

在所述矩形单元件彼此相邻的区域形成具有比所述岛式剩余部的尺寸小 的尺寸的切割边缘。

2.根据权利要求1所述的切割框架，其中，所述基底材料是一种具有预 定宽度和相对较大长度的连续材料。

3.根据权利要求1所述的切割框架，其中，所述基底材料是一种包括在 纵向或横向上仅吸收或透射特定方向的光波或电磁波的波动的层的薄膜，即 一种包括吸收层或透射层的薄膜，并且从所述基底材料上切割出的所述矩形 单元件是一种较小尺寸的薄膜，所述薄膜的所述吸收层或透射层以45度角倾 斜。

4.根据权利要求1所述的切割框架，其中，所述最上排矩形单元件的上 端顶点与所述最下排矩形单元件的下端顶点之间的宽度是所述基底材料的有 效宽度的95％至100％。

5.根据权利要求1所述的切割框架，其中，形成所述岛式剩余部的所述 矩形单元件的组合数量不少于除所述最上排矩形单元件和所述最下排矩形单 元件以外剩余的矩形单元件的数量的50％。

6.根据权利要求1所述的切割框架，其中，每个切割器是用于切割的刀 具或用于切割的光源。

7.根据权利要求6所述的切割框架，其中，所述用于切割的刀具是金属 刀或冲水刀，而所述用于切割的光源是激光。

8.一种废料，其是在以预定倾角从基底材料上切割一种或更多种矩形单 元件之后获得的，其中

基底材料片通过切割框架来切割，然后在所述基底材料片在所述基底材 料片的纵向上交迭了预定长度时再次通过所述切割框架来切割所述基底材料 片；

由于所述基底材料在纵向或横向上的固有物理性质必须通过相对于所述 矩形单元件的预定角度来表达，因此所述矩形单元件必须在成所述预定倾角 的同时被切割；

与所述矩形单元件相对应的多个孔通过切割边缘连续地彼此连接，除最 上排矩形单元件孔和最下排矩形单元件孔以外的大多数剩余的矩形单元件孔 被布置为通过与所述切割边缘相对应的间隙而在其四条边上邻近不同的矩形 单元件孔，并且相邻的四个矩形单元件的至少一些组合在其中心形成具有比 所述切割边缘的尺寸大的尺寸的岛式剩余部；并且

所述矩形单元件孔以20度至70度角倾斜。