[发明专利]单晶闪烁体材料及其制造方法

权利要求书

1.一种单晶闪烁体材料，其特征在于：

具有以组成式(Ce_xLu_1-x)BO₃表示、Ce的组成比例x满足 0.0001≤x≤0.05的单晶部。

2.如权利要求1所述的单晶闪烁体材料，其特征在于：

所述单晶部具有方解石型结晶结构。

3.如权利要求1所述的单晶闪烁体材料，其特征在于：

所述单晶部的对角为3mm以上，厚度为0.5mm以上

其中，所述对角为单晶部的最大尺寸值，所述厚度为单晶部的最 小尺寸值。

4.如权利要求1所述的单晶闪烁体材料，其特征在于：

所述单晶部的重量为5毫克以上。

5.如权利要求4所述的单晶闪烁体材料，其特征在于：

所述单晶部的重量为500毫克以上。

6.一种单晶闪烁体材料的制造方法，其特征在于，包括：

在以硼酸铅为主的溶剂中，以所述溶剂的饱和浓度以上的比例混 合Ce化合物和Lu化合物，加热至800℃以上1350℃以下的温度，使 所述化合物熔融的工序；和

通过将熔融后的所述化合物冷却，使以组成式(Ce_xLu_1-x)BO₃表示、 Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶析出成长的工序。

7.如权利要求6所述的单晶闪烁体材料的制造方法，其特征在于：

所述使单晶析出成长的工序通过TSSG法进行。

8.如权利要求6所述的单晶闪烁体材料的制造方法，其特征在于：

在所述使单晶析出成长的工序中，以0.001℃/小时以上5℃/小时以 下的降温速度进行冷却，直到所述化合物的温度达到750℃以上1250℃ 以下的温度。

9.如权利要求6所述的单晶闪烁体材料的制造方法，其特征在于：

使所述单晶成长为对角3mm以上、厚度0.5mm以上的大小，

其中，所述对角为单晶部的最大尺寸值，所述厚度为单晶部的最 小尺寸值。

10.一种正电子发射核素断层摄像装置，其特征在于：

具有由权利要求1所述的单晶闪烁体材料形成的闪烁体。