[发明专利]光电子器件

说明书

本发明涉及一种光电子器件。

本发明的任务是提出一种高效的光电子器件，特别是一种高效的发射 辐射的器件。

该任务通过一种根据独立权利要求所述的器件来解决。有利的扩展方 案和改进方案是从属权利要求的主题。

根据第一实施形式，光电子器件包括半导体本体，该半导体本体具有 带有有源区的半导体层序列。此外，该器件包括两个电接触部，它们在有 源区的不同侧上与半导体本体导电相连。在此，两个接触部的第一接触部 的部分区域设置在两个接触部的第二接触部和半导体本体之间，并且两个 接触部在该部分区域中彼此电绝缘。

换言之，光电子器件具有两个设置在半导体本体上的并且彼此在有源 区的相同侧上交迭的接触部，其中这些接触部在有源区的不同侧与半导体 本体导电连接，并且接触部在交迭区域中彼此电绝缘。

因为两个接触部在交迭区域中设置在半导体本体的并且特别是有源 区的相同侧上，所以可以实现借助一个接触部形成至半导体本体的电接触 以及借助在半导体本体并且特别是有源区的相同侧上的另一接触部实现 在有源区的横向延伸方向上的电流扩展。半导体本体的其余侧由此可以基 本上没有或者没有含金属的或者金属的接触元件，譬如形成至半导体本体 的电接触的或者扩展电流的结构。这种大面积的并且通常决定性地吸收的 接触元件由此可以设置在半导体本体的相同侧上。

器件的耦合输出面由此可以简化地没有或者基本上没有这种吸收元 件。于是可以有利地提高可由器件耦合输出的辐射功率。

在一个优选的扩展方案中，有源区适于产生辐射。有源区可以构建用 于产生紫外、可见或者红外光谱范围中的辐射。

在另一优选的扩展方案中，在其中第一接触部设置在半导体本体和第 二接触部之间的部分区域中，绝缘层设置在两个接触部之间，两个接触部 通过该绝缘层彼此电绝缘。于是可以避免两个接触部的短路。

在另一优选的扩展方案中，第二接触部的部分区域设置在半导体本体 和第一接触部之间，并且两个接触部在该部分区域中彼此电绝缘。优选的 是，必要时设置另外的绝缘层，其设置在两个接触部之间的该部分区域中， 并且将接触部彼此电绝缘。

从半导体本体出发来看，在器件的部分区域中可以存在以下顺序：第 一接触部的区域、绝缘层、第二接触部的区域、另外的绝缘层、第一接触 部的另外的区域。

绝缘层优选施加到半导体本体上，特别优选地沉积到半导体本体上。 适合绝缘层的材料例如是氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅。

在另一优选的扩展方案中，反射器层设置在半导体本体上。反射器层 优选沉积在半导体本体上。借助反射器层可以将从半导体本体出射的并且 射到反射器层上的辐射向回反射到半导体本体中。于是可以预防辐射在反 射器层的背离有源区的侧上设置的元件中的吸收。

总之，可以借助接触部在半导体本体的共同侧上的交迭设置来提高耦 合输出效率(由有源区产生的辐射功率与从器件耦合输出的辐射功率的比 值)。

根据另一实施形式的光电子器件包括半导体本体，该半导体本体具有 半导体层序列，该半导体层序列带有适于产生辐射的有源区。此外，光电 子器件包括设置在半导体本体上的反射器层和两个电接触部。在此，两个 接触部的第一接触部在有源区的朝向反射器层的侧上导电地与半导体本 体相连。两个接触部的第二接触部在有源区的背离反射器层的侧上与半导 体本体导电连接，其中反射器层、特别是反射器层的一部分设置在第二接 触部的部分区域和半导体本体之间。

因为反射器层设置在第二接触部和半导体本体并且特别是有源区之 间，所以可以减少或者避免辐射在接触部的设置在反射器层的背离有源区 的侧上的部分区域中的吸收。

反射器层合乎目的地针对有源区中要产生的辐射反射性地构建。反射 器层对于有源区中产生的辐射合乎目的地具有80％或者更高的反射率， 优选为90％或者更高的反射率，特别优选为95％或者更高的反射率。

在另一优选的扩展方案中，反射器层电绝缘地构建。电绝缘的反射器 层例如可以实施为介电的多层结构，其交替地具有带有高和低的折射率的 层。

合乎目的地，反射器层被留空用于借助接触部之一(第一接触部或第 二接触部)形成至半导体本体的接触、特别优选地用于通过两个接触部形 成至半导体本体的接触。如果反射器层电绝缘地构建，则半导体本体是特 别合乎目的的。