[发明专利]光电子器件有效
| 申请号: | 200880021681.2 | 申请日: | 2008-04-25 |
| 公开(公告)号: | CN101796656A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
| 发明(设计)人: | 斯特凡·伊莱克;安德烈亚斯·普洛斯尔;亚历山大·海因德尔;帕特里克·罗德;迪特尔·艾斯勒 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;陈炜 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光电子 器件 | ||
1.一种光电子器件(1),包括:
-半导体本体(2),其具有带有适于产生辐射的有源区(4)的半导 体层序列,
-设置在半导体本体上的反射器层(72),以及
-两个电接触部(7,8),其中两个接触部的第一接触部(7)在有源 区的朝向反射器层的侧上与半导体本体导电连接,两个接触部的第二接触 部(8)在有源区的背离反射器层的侧上与半导体本体导电连接,并且反 射器层设置在第二接触部的部分区域和半导体本体之间。
2.根据权利要求1所述的光电子器件,其中反射器层(72)被留空 用于形成第一接触部(7)至半导体本体(2)的接触以及第二接触部(8) 至半导体本体的接触。
3.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子器件,其中反射器层 (72)电绝缘地构建。
4.根据权利要求1或2所述的光电子器件,其中接触部(7,8)之 一具有反射器层(72)。
5.根据权利要求1或2所述的光电子器件,其中第二接触部(8)在 横向形成半导体本体(2)的边界的侧面(15)旁从有源区(4)的一侧延 伸直到有源区的另一侧,并且在该另一侧上与半导体本体导电连接。
6.根据权利要求1或2所述的光电子器件,其中有源区(4)具有多 个穿通部(11,26),并且第二接触部(8)通过穿通部延伸,其中第二接 触部在穿通部的区域中与有源区电绝缘。
7.根据权利要求6所述的光电子器件,其中相应的穿通部(11,26) 的壁(110)倾斜于有源区(4)走向。
8.根据权利要求6所述的光电子器件,其中第二接触部(8)在穿通 部的区域中具有导电的反射层(90)。
9.根据权利要求8所述的光电子器件,其中第二接触部(8)具有接 触层(87),并且该接触层设置在导电的反射层(90)和半导体本体(2) 之间。
10.根据权利要求4所述的光电子器件,其中在导电的反射器层(72) 和半导体本体之间设置有介电的反射层(30)。
11.根据权利要求1或2所述的光电子器件,其中在反射器层(72) 和半导体本体(2)之间设置有用于第一接触部(7)的附着层(75)。
12.根据权利要求1或2所述的光电子器件,其中接触部(7,8)之 一的背离有源区(4)的连接面(70,80)设置在有源区(4)的背离反射 器层(72)的侧上。
13.根据权利要求12所述的光电子器件,其中两个接触部(7,8) 具有背离有源区(4)的连接面(70,80),并且两个连接面设置在有源区 的相同侧上。
14.根据权利要求1或2所述的光电子器件,其中接触部(7,8)分 别具有背离有源区(4)的连接面(70,80),并且两个连接面(70,80) 设置在有源区的不同侧上。
15.根据权利要求1或2所述的光电子器件,其中半导体本体(2) 外延地生长,并且该器件(1)没有用于半导体本体的半导体层的生长衬 底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880021681.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体发光器件及其制造方法
- 下一篇:用于半导体部件中的叠层的增强结构





