[发明专利]显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及具有包括电极层的显示元件的显示装置。

背景技术

导电聚合物因其优越的加工性，在电气、电子工业的各种装置中 作为导电性材料或光学材料被广泛利用。现正在开发能够付诸实用的 新的导电聚合物材料，以进一步提高导电聚合物的导电性或加工性。

例如，在导电聚合物中添加有作为掺杂剂的碱金属或卤素等，以 改善导电性(例如，参照专利文件1：日本专利申请公开2003-346575 号公报)。

发明内容

然而，存在这样问题：当将上述那样的导电聚合物作为显示装置 等中的电极层而使用时，在显示装置中不能获得高可靠性。

因此，本发明的目的在于：低成本且高生产率地制造具有改善的 图像质量及可靠性的显示装置，或具有大屏幕的显示装置。

在本发明的显示装置中，将包含导电聚合物的电极层用作在显示 元件中的一对电极层中的至少一方，该显示元件还包括显示层，并且 在包含导电聚合物的电极层和显示层之间设置无机绝缘膜。

无机绝缘膜用作阻挡从包含导电聚合物的电极层扩散的离子性 杂质的阻挡膜(也称为钝化膜)，它遮挡离子性杂质从电极层移动到 显示层而防止污染显示层。离子性杂质是指包含导电聚合物的电极层 中的、被离子化而成为可移动的离子的元素或化合物。

可移动的离子性杂质在显示装置内移动，并且使形成在电极层上 的显示层中的液晶材料(或者发光材料)等劣化，而导致显示缺陷。 因此，若这些成为污染源的离子性杂质大量产生，就会使显示装置的 特性劣化，并导致可靠性的降低。因此，在本发明中，由无机绝缘膜 阻挡上述离子性杂质从包含导电聚合物的电极层扩散到显示层，来防 止显示层的劣化。

无机绝缘膜可以设置在显示层和包含导电聚合物的电极层之间。 为了获得更高的阻挡效果，优选与包含导电聚合物的电极层接触地设 置无机绝缘膜。无机绝缘膜可以设置为覆盖包含导电聚合物的电极层 整个表面，或者，可以选择性地设置在与显示层接触的区域中。

作为无机绝缘膜，可以使用透光性的氮化物膜(例如氮化硅膜或 氮氧化硅膜)。膜厚度设定为使得该厚度大于或等于能够发挥阻挡效 果的厚度且小于或等于不妨碍对显示层施加电压的厚度。例如，大于 或等于5nm且小于或等于500nm的膜厚度是优选的。当通过干法工 艺(溅射法、蒸发法、物理气相淀积(PVD)法、或化学气相淀积(CVD) 法(诸如低压CVD(LPCVD)法或等离子体CVD法))形成无机 绝缘膜时，无机绝缘膜能够成为致密的膜且可以具有高的阻挡功能。

作为无机绝缘膜，可以使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、或氮氧 化硅等，作为单层结构，或例如两个层或三个层的叠层结构。注意， 在本说明书中，氧氮化硅是指这样的物质，其氧的含量比氮的含量多， 也可以称为含有氮的氧化硅。与此相同，氮氧化硅是指这样的物质， 其氮的含量比氧的含量多，也可以称为含有氧的氮化硅。

另外，无机绝缘膜可以由选自以下的物质形成：氮化铝、氧的含 量比氮的含量多的氧氮化铝、氮的含量比氧的含量多的氮氧化铝、氧 化铝、类金刚石碳(DLC)、含有氮的碳、或其他含无机绝缘材料的 物质。

作为导电聚合物，可以使用所谓π电子共轭导电聚合物。例如， 可以举出：聚苯胺和/或其衍生物；聚吡咯和/或其衍生物；聚噻吩和/ 或其衍生物；上述材料中的两种或更多种材料的共聚物。

作为共轭聚合物的具体实例，可以举出：聚吡咯、聚(3-甲基吡 咯)、聚(3-丁基吡咯)、聚(3-辛基吡咯)、聚(3-癸基吡咯)、 聚(3，4-二甲基吡咯)、聚(3，4-二丁基吡咯)、聚(3-羟基吡咯)、 聚(3-甲基-4-羟基吡咯)、聚(3-甲氧基吡咯)、聚(3-乙氧基吡咯)、 聚(3-辛氧基吡咯)、聚(3-羧基吡咯)、聚(3-甲基-4-羧基吡咯)、 聚(N-甲基吡咯)、聚噻吩、聚(3-甲基噻吩)、聚(3-丁基噻吩)、 聚(3-辛基噻吩)、聚(3-癸基噻吩)、聚(3-十二烷基噻吩)、聚 (3-甲氧基噻吩)、聚(3-乙氧基噻吩)、聚(3-辛氧基噻吩)、聚 (3-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基噻吩)、聚(3，4-乙烯基二氧噻 吩)、聚苯胺、聚(2-甲基苯胺)、聚(2-辛基苯胺)、聚(2-异丁 基苯胺)、聚(3-异丁基苯胺)、聚(2-氨基苯磺酸)、或聚(3-氨 基苯磺酸)。