[发明专利]显示装置有效
| 申请号: | 200880020348.X | 申请日: | 2008-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN101681579A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
| 发明(设计)人: | 藤井严;高桥绘里香 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G02F1/1343;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 刘 倜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
晶体管,包括:
在衬底上的栅极电极;
在所述栅极电极上的栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上并与所述栅极绝缘层接触的第一半导 体层;
在所述第一半导体层上的具有一种导电类型的第二半导体 层;以及
在所述第二半导体层上的布线层,该布线层用作源极电极 或漏极电极,
包括导电聚合物的第一电极层,该第一电极层覆盖所述布线层的 一部分;
在所述第一电极层、所述布线层、所述第一半导体层、以及所述 第二半导体层上且与所述第一电极层、所述布线层、所述第一半导体 层、以及所述第二半导体层接触的无机绝缘膜;
设置在所述无机绝缘膜上的显示层;以及
在所述显示层上的第二电极层,
其中,所述布线层和所述第一电极层与所述栅极绝缘层接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述无机绝缘膜是氮化 硅膜或氮氧化硅膜。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述无机绝缘膜的膜厚 度为大于或等于5nm且小于或等于500nm。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述导电聚合物是选自 聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、以及它们的衍生物中的任何一种。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一电极层还包括 有机树脂。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一电极层还包括 下列中任何一种或多种作为掺杂剂:卤素、路易斯酸、无机酸、有机 酸、过渡金属卤化物、有机氰化合物、以及非离子性表面活性剂。
7.一种显示装置,包括:
晶体管,包括:
在衬底上的栅极电极;
在所述栅极电极上的栅极绝缘层;
在所述栅极绝缘层上并与所述栅极绝缘层接触的第一半导 体层;
在所述第一半导体层上的具有一种导电类型的第二半导体 层;以及
在所述第二半导体层上的布线层,该布线层用作源极电极 或漏极电极;
包括导电聚合物的第一电极层,该第一电极层覆盖所述布线层的 一部分;
在所述第一电极层、所述布线层、所述第一半导体层、以及所述 第二半导体层上且与所述第一电极层、所述布线层、所述第一半导体 层、以及所述第二半导体层接触的第一无机绝缘膜;
设置在所述第一无机绝缘膜上的显示层;
设置在所述显示层上的第二无机绝缘膜;以及
在所述第二无机绝缘膜上且与所述第二无机绝缘膜接触的第二 电极层,
其中,所述布线层和所述第一电极层与所述栅极绝缘层接触。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述第一无机绝缘膜和 所述第二无机绝缘膜是氮化硅膜或氮氧化硅膜。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述第一无机绝缘膜和 所述第二无机绝缘膜中的每一个的厚度为大于或等于5nm且小于或等 于500nm。
10.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述导电聚合物是选 自聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、以及它们的衍生物中的任何一种。
11.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述第一电极层还包 括有机树脂,并且所述第二电极层还包括所述有机树脂。
12.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述第一电极层和所 述第二电极层中的每一个还包括下列中的任何一种或多种作为掺杂 剂:卤素、路易斯酸、无机酸、有机酸、过渡金属卤化物、有机氰化 合物、以及非离子性表面活性剂。
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