[发明专利]光学元件覆盖用玻璃、覆盖有玻璃的发光元件及覆盖有玻璃的发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种玻璃、特别是用于覆盖半导体发光元件(发光二极管)的玻璃、被该玻璃覆盖的覆盖有玻璃的光学元件及覆盖有玻璃的发光装置。

背景技术

近年来，作为覆盖发光元件的构件，提出有以TeO₂为主要组成物质的TeO₂系玻璃。但是，被用作覆盖构件的TeO₂系玻璃对400nm以下的光的透射率差，不适合作为短波长(365～405nm)用LED(UV-LED)的密封材料。

另外，作为短波长用LED的密封材料，有文献记载了采用P₂O₅-ZnO系玻璃的技术方案(专利文献1)。

专利文献1：国际公开号WO2004/082036号

发明的揭示

但是，专利文献1未记载玻璃的组成物质的含量，其公开程度不足以实施该专利。此外，专利文献1的玻璃的热膨胀系数为11.4×10^-6/℃，与主要被用作发光元件(典型的是GaN)的层叠基板的蓝宝石的热膨胀系数(约80×10^-7/℃)的差距大，存在作为密封材料不实用的问题。而且，专利文献1的玻璃实质上不含有Sn作为组成物质。因此存在专利文献1的玻璃的玻璃化温度升高的问题。

本发明的目的是提供一种用于解决上述问题的光学元件覆盖用玻璃、特别是用于覆盖半导体发光元件(发光二极管)的玻璃、被该玻璃覆盖的覆盖有玻璃的光学元件及覆盖有玻璃的发光装置。

(1)一种光学元件覆盖用玻璃，其特征在于，以氧化物为基准的摩尔％表示实质上由P₂O₅：27～35％、ZnO：25～45％、SnO：25～40％、以及选自B₂O₃及CaO的至少1种：0.1～10％构成，结晶化峰值温度和玻璃化温度的差在150℃以上。

(2)一种覆盖有玻璃的发光元件，其特征在于，包括具有主表面的半导体发光元件以及玻璃，该玻璃覆盖半导体发光元件的主表面，以氧化物为基准的摩尔％表示实质上由P₂O₅：27～35％、ZnO：25～45％、SnO：25～40％、以及选自B₂O₃及CaO的至少1种：0.1～10％构成，结晶化峰值温度和玻璃化温度的差在150℃以上。

(3)一种覆盖有玻璃的光学元件，其特征在于，包括具有主表面的半导体发光元件以及覆盖半导体发光元件的主表面的P₂O₅-ZnO-SnO系玻璃。

(4)一种覆盖有玻璃的发光装置，其特征在于，包括：具有主表面的基板；半导体发光元件，该半导体发光元件具有主表面以及位于主表面的相反侧的背面，以使背面与基板的主表面相对向的方式设置在基板的主表面上；以及玻璃，该玻璃覆盖半导体发光元件的主表面，以氧化物为基准的摩尔％表示实质上由P₂O₅：27～35％、ZnO：25～45％、SnO：25～40％、以及选自B₂O₃及CaO的至少1种：0.1～10％构成，结晶化峰值温度和玻璃化温度的差在150℃以上。

(5)一种覆盖有玻璃的发光装置，其特征在于，包括：具有主表面的基板；半导体发光元件，该半导体发光元件具有主表面以及位于主表面的相反侧的背面，以使背面与基板的主表面相对向的方式设置在基板的主表面上；以及覆盖半导体发光元件的主表面的P₂O₅-ZnO-SnO系玻璃。

本发明可提供与发光元件的热膨胀率的差小且玻璃化温度被控制得较低的光学元件覆盖用玻璃、被该玻璃覆盖的覆盖有玻璃的发光元件及覆盖有玻璃的发光装置。

附图的简单说明

图1是本发明的覆盖有玻璃的发光装置的剖视图。

符号的说明

100发光元件

110玻璃

120基板

实施发明的最佳方式

下面参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。图中，对应的部分用对应的参考标号表示。下述实施方式是作为一例示出的实施方式，在不脱离本发明的技术思想的范围内可进行各种变形。

首先，利用附图来说明覆盖有玻璃的发光装置。