[发明专利]光学元件覆盖用玻璃、覆盖有玻璃的发光元件及覆盖有玻璃的发光装置无效
| 申请号: | 200880018040.1 | 申请日: | 2008-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN101681965A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
| 发明(设计)人: | 松本修治;大崎康子;中村伸宏 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;C03C8/08 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 冯 雅;胡 烨 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光学 元件 覆盖 玻璃 发光 装置 | ||
1.一种光学元件覆盖用玻璃,其特征在于,以氧化物为基准的摩尔%表示实质上由P2O5:27~35%、ZnO:25~45%、SnO:25~40%、以及选自B2O3及CaO的至少1种:0.1~10%构成,结晶化峰值温度和玻璃化温度的差在150℃以上。
2.如权利要求1所述的光学元件覆盖用玻璃,其特征在于,相对于Sn原子的总量,Sn2+的存在率在90%以上。
3.如权利要求1或2所述的光学元件覆盖用玻璃,其特征在于,
以氧化物为基准的摩尔%表示含有
Al2O3:0~3%、
In2O3:0~3%、以及
La2O3:0~3%,
选自Al2O3、In2O3以及La2O3的至少1种为0.1~7%。
4.如权利要求1~3中任一项所述的光学元件覆盖用玻璃,其特征在于,膨胀系数为70×10-7~100×10-7/℃。
5.如权利要求1~4中任一项所述的光学元件覆盖用玻璃,其特征在于,所述玻璃化温度在400℃以下。
6.如权利要求1~5中任一项所述的光学元件覆盖用玻璃,其特征在于,所述结晶化峰值温度和所述玻璃化温度的差在180℃以上。
7.一种覆盖有玻璃的发光元件,其特征在于,包括:具有主表面的半导体发光元件;以及玻璃,该玻璃覆盖所述半导体发光元件的所述主表面,以氧化物为基准的摩尔%表示实质上由P2O5:27~35%、ZnO:25~45%、SnO:25~40%、以及选自B2O3及CaO的至少1种:0.1~10%构成,结晶化峰值温度和玻璃化温度的差在150℃以上。
8.一种覆盖有玻璃的发光装置,其特征在于,包括:具有主表面的基板;半导体发光元件,该半导体发光元件具有主表面以及位于所述主表面的相反侧的背面,以使所述背面与所述基板的所述主表面相对向的方式设置在所述基板的所述主表面上;以及玻璃,该玻璃覆盖所述半导体发光元件的所述主表面,以氧化物为基准的摩尔%表示实质上由P2O5:27~35%、ZnO:25~45%、SnO:25~40%、以及选自B2O3及CaO的至少1种:0.1~10%构成,结晶化峰值温度和玻璃化温度的差在150℃以上。
9.一种覆盖有玻璃的发光元件,其特征在于,包括:具有主表面的半导体发光元件;以及覆盖所述半导体发光元件的所述主表面的P2O5-ZnO-SnO系玻璃。
10.如权利要求9所述的覆盖有玻璃的发光元件,其特征在于,所述P2O5-ZnO-SnO系玻璃的玻璃化温度在450℃以下。
11.如权利要求10所述的覆盖有玻璃的发光元件,其特征在于,
所述P2O5-ZnO-SnO系玻璃以氧化物为基准的摩尔%表示实质上由
P2O5:20~45%、
ZnO:20~50%、
SnO:20~40%构成,
该玻璃的玻璃化温度在290℃以上,且热膨胀系数在105×10-7/℃以下。
12.如权利要求11所述的覆盖有玻璃的发光元件,其特征在于,所述SnO为20~35%。
13.如权利要求9所述的覆盖有玻璃的发光元件,其特征在于,所述P2O5-ZnO-SnO系玻璃在耐水性试验中的重量减少率在50%以下。
14.一种覆盖有玻璃的发光装置,其特征在于,包括:具有主表面的基板;半导体发光元件,该半导体发光元件具有主表面以及位于所述主表面的相反侧的背面,以使所述背面与所述基板的所述主表面相对向的方式设置在所述基板的所述主表面上;以及覆盖所述半导体发光元件的所述主表面的P2O5-ZnO-SnO系玻璃。
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