[发明专利]用于涂覆以最密堆积设置在基座上的多个基板的装置

说明书

技术领域

本发明涉及对以规则方式设置在配属于一处理室的基座的支撑表面上 的多个基板进行涂覆的装置，该支撑表面提供用于每个基板的边缘接合的邻 接侧面(abutment flanks)。

背景技术

DE US 58 14196描述了这样的涂覆装置，其中基板位于凹槽中，凹槽的 边缘与基板的外围形状匹配。凹槽的底面限定了对基板的支撑表面。基板的 中心位于等边三角形的拐角点。

由US 2003/0109139A1可知这样的抛光装置，其中以行星式布置将每三 个基板设置在基板载体上。

DE 10 2004 009 130 A1描述了这样的涂覆多个基板的装置，该基板以规 则方式设置在配属于处理室的基座的支撑表面上，该支撑表面提供用于每个 基板的边缘接合的邻接侧面。在此情况下，基板设置在共六个转盘上。转盘 设置为关于基座的中心呈六边形布置。

DE 100 43 600 A1示出了类似的布置。

在用于涂覆多个基板的已知装置中，基板关于基座的中心呈圆形布置。 在第一行中，例如，四个基板关于基座的中心均匀地分布。因此，基板位于 基座的上表面的各凹槽中，各凹槽的中心围绕该中心的圆线行进。在围绕中 心的第二圆中，十个基板也类似地每个位于各凹槽中。在关于中心的第三圆 中，十六个基板以对应的方式位于各凹槽中，各凹槽的中心距基座的中心具 有相同的间隔。

基板在基座上的这种布置带来一定的益处。处理室设置在基座的支撑表 面之上，处理气体通过气体进口构件从上面导入处理室。这些处理气体或者 以气相反应，或者在基板要涂覆的上表面上反应，处理气体的元素在层形成 过程中沉积在基板上。正因为这样，基座通常从下面加热。

基本上不可避免的是，寄生生长(parasitical growth)发生在基座在各凹 槽之间的间隔中。寄生生长不仅导致不希望的气相损耗，而且具有对沉积层 均匀性的负面影响。

发明内容

因此，本发明的目标是有利地改善已知装置的可用性。

权利要求中限定的本发明满足了这样的目标，每项权利要求都表示解决 问题的独立方案，并且可与任何其他权利要求相结合。

本发明下面的解决方案提供基板之间的自由基座上表面的最小化。为 此，首先提出了与基板边缘接合的邻接侧面由从支撑表面突伸出的竖直部分 的侧壁定义。因此，有利的是竖直件设置在蜂巢状图案的拐角点。竖直件可 以彼此间隔以使得相邻基板的边缘部分接触或几乎接触。在优选构造中，竖 直件的外围边缘遵循(follow)基板的外围边缘。因为通常基板形成为基本 上圆形的形状，所以竖直件的侧壁具有向内弯曲的边。由此竖直件的拐角点 位于等边三角形的拐角点处，从而竖直件的平面图基本上对应于等边三角形 的平面图，但具有向内弯曲的边。竖直件优选在面对处理室的基板支架的宽 阔侧面中的凹陷底部升高。进一步优选的是竖直件由基座材料之外的材料制 作。基座通常由石墨或金属制作。然而，也可以由石英制作。竖直件在此情 况下可以形成为插入件，插入支撑表面中的插入开口中。尤其优选的是，竖 直件由与组成设置在竖直件之间的基板的材料相同的材料组成，如蓝宝石或 半导体材料。于是，竖直件上表面的物理和化学特性对应于基板上表面的化 学和物理特性。竖直件的高度基本上对应于基板材料的厚度。因为基板的外 围边缘几乎与竖直件的弯曲侧壁接触接合，所以使得在加载基板时，只有非 常小部分的基座的上表面不具有基板的物理和化学特性。作为该构造的结 果，可以增加层的均匀性。在本发明的开发中，如本领域的现有技术，基板 也位于与基板分别相关的各凹槽中。然而，这里恰当的是，各凹槽的中心位 于由等边三角形组成的格子的拐角点。格子常数，即拐角点彼此的间隔，仅 略微大于基板的直径。另外，这里各凹槽限定了用于基板边缘的邻接表面， 该邻接表面沿弧线行进。在每个三角形的拐角点之间的中心，存在基本上三 角形的竖直部分，竖直部分具有向内弯曲的侧壁。然而，这些侧壁在竖直件 的拐角点处不交叉，而结合成相邻的竖直件，形成材料桥。在该解决方案中， 基座的没有被基板覆盖的自由上表面也被最小化。

附图说明

下面，参考附图说明本发明的示范性实施例，在附图中：

图1示出了第一示范性实施例的基座的支撑表面的平面图，出于示例的 目的，仅部分加载有基板3；