[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200880015540.X | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101681880A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 井上文裕;岛仁志 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/3205;H01L23/52;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包含相邻的多个电容单元，所述电容单元具有用于输入信号的下部电极和与该下部电极相对配置的上部电极，所述半导体装置的特征在于包括：
第一配线层，该第一配线层具有与所述上部电极连接的上部电极用配线部分和与所述下部电极连接的下部电极用配线部分；以及
第二配线层，该第二配线层具有围绕每个所述上部电极的配线保护部和用于输入所述信号的输入配线，
其中，
所述配线保护部与所述下部电极用配线部分连接，
所述多个电容单元中的某一个电容单元的所述输入配线位于其它电容单元的所述配线保护部的外侧，
所述配线保护部的电位与所述输入信号的电位相同。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在俯视图中，所述配线保护部包含围绕所述上部电极的配线结构。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述配线保护部是多层配线构造。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
还包括固定电位配线保护部，其配置在所述配线保护部的上方，具有从上方覆盖所述上部电极的平板形状，并且被提供固定电位。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述平板形状具有使用一块即可覆盖多个所述上部电极的大小。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述配线保护部具有从上方覆盖所述上部电极的平板形状。
7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
所述配线保护部具有部分地围绕所述上部电极的配线结构。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
部分地围绕所述上部电极的配线结构是围绕上部电极连接部以外的周围部分的结构，该上部电极连接部用于电性地连接相邻的所述上部电极彼此。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
还包含固定电位配线保护部，其配置在所述配线保护部的上方，具有从上方覆盖所述上部电极的平板形状，并且被提供固定电位。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述平板形状具有使用一块即可覆盖多个所述上部电极的大小。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具有比较器，还包含D/A转换器电路。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具有运算增幅器，还包含增幅电路。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
