[发明专利]有机半导体无效

专利信息
申请号: 200880013810.3 申请日: 2008-03-28
公开(公告)号: CN101668763A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: M·希尼;张卫民;L·麦克洛克 申请(专利权)人: 默克专利股份有限公司
主分类号: C07D495/04 分类号: C07D495/04;C07F7/08;H01L51/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 陈 宙
地址: 德国达*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 有机半导体
【权利要求书】:

1.式I的化合物

其中

R1、R2和R3彼此独立地是卤素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR0R00、-C(=O)X0、-C(=O)R0、-NH2、-NR0R00、-SH、-SR0、-SO3H、-SO2R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5、任选取代的甲硅烷基、或任选含一个或多个杂原子的任选取代的碳基或烃基,相邻的基团R1和R2也可以彼此或与它们所连接的苯环形成环系,R1和/或R2也可以表示H,

X0是卤素,

R0和R00彼此独立地是H或具有1-20个C原子的任选取代的脂族或芳族烃基。

2.根据权利要求1的化合物,其特征在于R3是式SiR′R″R′″的甲硅烷基,或任选地被一个或多个基团L取代的芳基或杂芳基,其中

R′、R″、R′″是相同或不同的基团,其选自H、C1-C40-烷基,C2-C40-烯基,C6-C40-芳基,C6-C40-芳基烷基,C1-C40-烷氧基或-氧杂烷基,或C6-C40-芳基烷氧基,其中所有这些基团任选被一个或多个基团L取代,或R′、R″和R′″中的一个或多个与Si原子一同形成环状甲硅烷基烷基,

L选自F,Cl,Br,I,-CN,-NO2,-NCO,-NCS,-OCN,-SCN,-C(=O)NR0R00,-C(=O)X0,-C(=O)R0、-NR0R00,任选取代的甲硅烷基,或具有4-40个C原子的芳基或杂芳基,和具有1-20个C原子的直链或支化的烷基、烷氧基、氧杂烷基、硫烷基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基,其中一个或多个H原子任选被F或Cl替代,其中X0、R0和R00如权利要求1中所限定。

3.根据权利要求1-2中一项或多项的化合物,其特征在于它们选自以下子式:

其中R′、R″和R′″如权利要求2中所限定,R具有权利要求1中给出的R2的不同于H的含义之一,X表示SiR′R″R′″或Ar,并且Ar在每次出现时彼此独立地是任选被权利要求2中所限定的L取代的芳基或杂芳基。

4.根据权利要求1-3中一项或多项的化合物,其特征在于它们选自以下子式:

其中R和R’如权利要求3中所限定。

5.包含一种或多种根据权利要求1-4中一项或多项的化合物的半导体或电荷传输材料、组件或器件。

6.包含一种或多种根据权利要求1-4中一项或多项的化合物和一种或多种有机溶剂的配制物。

7.有机半导体配制物,其包含一种或多种根据权利要求1-4中一项或多项的化合物、一种或多种有机粘结剂或其前体和非必要的一种或多种溶剂,所述有机粘结剂或其前体优选在1,000Hz下具有3.3或更低的介电常数。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于默克专利股份有限公司,未经默克专利股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880013810.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top