[发明专利]光耦合器封装

说明书

相关申请参照

无

发明背景

光耦合器封装包含至少一个光发射器，该光发射器通过透光介质光耦合 到光接收器。这种结构准许将信息从一个包含该光发射器的电路传递到另 一个包含该光接收器的电路。在这两个电路之间保持高度电隔离。因为信 息是横跨绝缘空隙以光的形式来传递的，所以传递是单向的。例如，光接 收器不能改变包含该光发射器的电路的操作。该特征是重要的，例如因为 发射器可以是使用微处理器或逻辑门由低电压电路驱动的，而输出光接收 器可以是高电压DC或AC负载电路的一部分。这种光隔离还防止由相对恶 劣的输出电路对输入电路所造成的损坏。

一种常见的光耦合器封装形式是双列直插式封装或DIP。这种封装广泛 用于收容(house)集成电路，并且也用于常规的光耦合器。普遍制造的各 种形式光耦合器DIP封装具有4，6，8或16个引脚。

图1(a)示出了改进的光耦合器封装。图1(a)示出了光耦合器封装900 的透视图。其包括基片902和包含透光介质的“团形顶”906。团形顶906 覆盖住上述的光发射器和光接收器，这样将他们与外部环境隔离。焊接球 904位于基片902上并且将团形顶906包围。在使用中，将光耦合器封装翻 转过来并安装到印刷电路板或类似器件上。

尽管图1(a)示出的封装900是有效的，但是如图1(b)中间体封装结构 901所示，在制造过程中可能出现的一个问题是团形顶906可能会向焊区 905侵溢，而焊接球904(如图1(a)所示)当位于焊区905之上。团形顶 906通常以液态或者半固态形式沉积在的基片902上，然后使其固化。未固 化的团形顶906在其固化之前可以流动，而且可能会流到焊区905上。如 果发生这种情况，将无法将焊接球904焊接至焊区905上，因此需要对中 间体封装结构重新加工。

可以在基片上单独沉积一个坝结构以便在团形顶906成型过程中界定 其范围。然而，这需要额外的步骤并且增加了最终成型的封装的成本。并 且这种坝仅仅是在团形顶906的成型过程中阻止溢流。而坝没有任何其他 功能。

本发明的各个实施方式单独地或共同地解决这些和其它问题。

发明内容

本发明涉及光耦合器封装及其制造方法。

本发明的一个实施方式涉及一种方法。该方法包括用引线框和模塑料形 成基片。模塑料填充引线框的内部空间并且形成一个坝结构。在基片上安 装光发射器和光接收器。在光发射器和光接收器之间形成透光介质。

本发明的另一个实施方式涉及一种包括基片的光耦合器的封装，其中的 基片包括引线框和模塑料。模塑料填充引线框的间隙并且形成一个坝结构。 所述坝结构与填充引线框间隙的模塑料的至少一部分是一体的。在基片上 安装有光发射器和光接收器。在光发射器和光接收器之间设有透光介质。

本发明的另一个实施方式涉及一种包括基片和坝结构的光耦合器封装， 其中的基片包括引线框和塑型复合物，其中所述塑封料填充引线框的间隙， 其中的坝结构界定器件安装区域。在基片上安装有光发射器和光接收器。 在光发射器和光接收器之间设有透光介质，基片上有多个导电结构。各个 导电结构与坝结构有接触。

在下文中进一步详细描述这些和其它实施方式。

附图说明

图1(a)示出一种光耦合器封装的俯视透视图。

图1(b)示出了一种带有侵溢团形顶的光耦合器封装中间体的平面图。

图2(a)示出了根据本发明一实施方式的光耦合器封装的透视图，其中 示出了封装中的器件。

图2(b)示出了图2(a)示出的光耦合器封装的俯视透视图。未示出封装 中的器件。

图2(c)示出了将图2(b)示出的将光耦合器封装翻转的视图。

图3(a)示出了引线框和塑型复合物。

图3(b)示出了预成型基片的侧俯视图。

图3(c)示出了预成型基片的侧仰视图。

图4(a)-(e)分别示出了成型中的光耦合器封装。

图4(f)示出了图(e)示出的光耦合器封装的侧面横截面图。

图5(a)示出了引线框的俯视平面图。

图5(b)示出了预成型基片的俯视平面图。

图5(c)示出了5(b)示出的预成型基片的侧面横截面图。