[发明专利]光耦合器封装有效

专利信息
申请号: 200880011668.9 申请日: 2008-03-11
公开(公告)号: CN101657748A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 崔伦华;权容锡;M·C·Y·基尼奥内斯 申请(专利权)人: 费查尔德半导体有限公司
主分类号: G02B6/26 分类号: G02B6/26
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 侯颖媖;谢喜堂
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 耦合器 封装
【权利要求书】:

1.一种用于形成光耦合器封装的方法,包括:

形成包括引线框和模塑料的基片,其中所述模塑料填充所述引线框的 内部空间并且形成一个坝结构,所述坝结构与填充引线框内部空间的模塑 料的至少一部分是一体的且该两者由相同材料组成;

在所述基片上安装光发射器;

在所述基片上安装光接收器;以及

在光发射器和光接收器之间形成透光介质,其中所述透光介质被所述坝 结构限定在所述基片上预设的区域内。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述基片包括:

将所述引线框置于带有第一成型模具和第二成型模具的成型工具中;

在成型模具之间提供模塑料前体;

部分凝固所述模塑料;

之后收回所述第一成型模具;

然后使所述模塑料凝固;以及

之后收回所述第二成型模具。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述坝结构有连续的内部 边沿。

4.如权利要求1所述的方法,进一步包括将所述光发射器和光接收器 金属引线连到基片中的引线框上。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述引线框包括由模塑料 中的窗口确定出的焊区,所述方法进一步包括:

在所述焊区上沉积导电结构。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述坝结构接触并支撑所 述焊区上的至少一个导电结构。

7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述引线框包括铜。

8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述导电结构是焊接球, 其中焊接球具有的高度大于光发射器和光接收器的高度。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在基片中窗口通过模塑料 形成,且其中形成所述基片进一步包括:

用灌注材料填充所述窗口。

10.如权利要求1所述的方法,进一步包括:

在基片上与支撑光发射器和光接收器相对的一面形成一个层。

11.如权利要求1所述的方法,进一步包括:

在基片上沉积焊接球结构来形成光耦合器封装;

将所述光耦合器封装翻转;以及

将所述光耦合器封装安装在电路板上。

12.一种光耦合器封装,包括:

基片,该基片包括引线框和模塑料,其中,所述模塑料填充引线框的 内部空间并形成一个坝结构,所述坝结构与填充引线框内部空间的模塑料 的至少一部分是一体的且该两者由相同材料组成;

光发射器,在所述基片上;

光接收器,在所述基片上,其中所述光发射器和光接收器电耦合到所 述引线框上;以及

透光介质,设置在所述光发射器和光接收器之间,其中所述透光介质 被所述坝结构限定在所述基片上预设的区域内。

13.如权利要求12所述的光耦合器封装,进一步包括:

多个导电结构,在所述基片上,其中所述基片上的规格导电结构的高 度大于所述光发射器和光接收器的高度。

14.如权利要求13所述的光耦合器封装,其特征在于,所述导电结构 是焊接球。

15.如权利要求12所述的光耦合器封装,其特征在于,所述模塑料形 成窗口,且其中所述基片进一步包括填充所述窗口的灌注材料。

16.如权利要求12所述的光耦合器封装,进一步包括将所述光发射器 和光接收器耦合至所述基片的金属引线。

17.如权利要求12所述的光耦合器封装,进一步包括在所述透光介质 上的反射涂层。

18.一种电气组合件,包括:

电路板;以及

置于所述电路板上的如权利要求13所述的光耦合器封装。

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