[发明专利]光耦合器封装有效
| 申请号: | 200880011668.9 | 申请日: | 2008-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN101657748A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
| 发明(设计)人: | 崔伦华;权容锡;M·C·Y·基尼奥内斯 | 申请(专利权)人: | 费查尔德半导体有限公司 |
| 主分类号: | G02B6/26 | 分类号: | G02B6/26 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 侯颖媖;谢喜堂 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 耦合器 封装 | ||
1.一种用于形成光耦合器封装的方法,包括:
形成包括引线框和模塑料的基片,其中所述模塑料填充所述引线框的 内部空间并且形成一个坝结构,所述坝结构与填充引线框内部空间的模塑 料的至少一部分是一体的且该两者由相同材料组成;
在所述基片上安装光发射器;
在所述基片上安装光接收器;以及
在光发射器和光接收器之间形成透光介质,其中所述透光介质被所述坝 结构限定在所述基片上预设的区域内。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述基片包括:
将所述引线框置于带有第一成型模具和第二成型模具的成型工具中;
在成型模具之间提供模塑料前体;
部分凝固所述模塑料;
之后收回所述第一成型模具;
然后使所述模塑料凝固;以及
之后收回所述第二成型模具。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述坝结构有连续的内部 边沿。
4.如权利要求1所述的方法,进一步包括将所述光发射器和光接收器 金属引线连到基片中的引线框上。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述引线框包括由模塑料 中的窗口确定出的焊区,所述方法进一步包括:
在所述焊区上沉积导电结构。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述坝结构接触并支撑所 述焊区上的至少一个导电结构。
7.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述引线框包括铜。
8.如权利要求5所述的方法,其特征在于,所述导电结构是焊接球, 其中焊接球具有的高度大于光发射器和光接收器的高度。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在基片中窗口通过模塑料 形成,且其中形成所述基片进一步包括:
用灌注材料填充所述窗口。
10.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
在基片上与支撑光发射器和光接收器相对的一面形成一个层。
11.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
在基片上沉积焊接球结构来形成光耦合器封装;
将所述光耦合器封装翻转;以及
将所述光耦合器封装安装在电路板上。
12.一种光耦合器封装,包括:
基片,该基片包括引线框和模塑料,其中,所述模塑料填充引线框的 内部空间并形成一个坝结构,所述坝结构与填充引线框内部空间的模塑料 的至少一部分是一体的且该两者由相同材料组成;
光发射器,在所述基片上;
光接收器,在所述基片上,其中所述光发射器和光接收器电耦合到所 述引线框上;以及
透光介质,设置在所述光发射器和光接收器之间,其中所述透光介质 被所述坝结构限定在所述基片上预设的区域内。
13.如权利要求12所述的光耦合器封装,进一步包括:
多个导电结构,在所述基片上,其中所述基片上的规格导电结构的高 度大于所述光发射器和光接收器的高度。
14.如权利要求13所述的光耦合器封装,其特征在于,所述导电结构 是焊接球。
15.如权利要求12所述的光耦合器封装,其特征在于,所述模塑料形 成窗口,且其中所述基片进一步包括填充所述窗口的灌注材料。
16.如权利要求12所述的光耦合器封装,进一步包括将所述光发射器 和光接收器耦合至所述基片的金属引线。
17.如权利要求12所述的光耦合器封装,进一步包括在所述透光介质 上的反射涂层。
18.一种电气组合件,包括:
电路板;以及
置于所述电路板上的如权利要求13所述的光耦合器封装。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于费查尔德半导体有限公司,未经费查尔德半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880011668.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





