[发明专利]感光性粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接片、粘接剂图形、贴有粘接剂层的半导体晶片,半导体装置及半导体装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200880010718.1 申请日: 2008-03-19
公开(公告)号: CN101646741A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 满仓一行;川守崇司;增子崇;加藤木茂树 申请(专利权)人: 日立化成工业株式会社
主分类号: C09J179/08 分类号: C09J179/08;C08L63/00;C09J4/00;C09J7/02;C09J11/06;C09J163/00;H01L21/301;H01L21/52
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 雒纯丹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 感光性 粘接剂 组合 膜状粘接剂 粘接片 图形 贴有粘接剂层 半导体 晶片 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种感光性粘接剂组合物,其含有

(A)碱可溶性树脂、

(B)环氧树脂、

(C)放射线聚合性化合物以及

(D)光引发剂,

其中,所述(D)光引发剂至少含有(D1)通过放射线照射而表现出促进所述环氧树脂的聚合和/或固化反应的功能的光引发剂。

2.根据权利要求1所述的感光性粘接剂组合物,其中,所述(D1)光引发剂为通过放射线照射产生碱的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的感光性粘接剂组合物,其中,所述(D1)光引发剂为含有肟酯基和/或吗啉环的化合物。

4.根据权利要求1~3的任一项所述的感光性粘接剂组合物,其中,所述(D1)光引发剂对于波长365nm的光的分子消光系数为1000ml/g·cm以上。

5.根据权利要求1~4的任一项所述的感光性粘接剂组合物,其中,所述(D1)光引发剂的质量损失5%时的温度为150℃以上。

6.根据权利要求1~5的任一项所述的感光性粘接剂组合物,其中,所述(D1)光引发剂为下述结构式(I-1)表示的化合物和/或下述结构式(I-2)表示的化合物和/或下述结构式(I-3)表示的化合物

7.根据权利要求1~6的任一项所述的感光性粘接剂组合物,其中,所述(A)碱可溶性树脂的玻璃化转变温度为150℃以下。

8.根据权利要求1~7的任一项所述的感光性粘接剂组合物,其中,所述(A)碱可溶性树脂为含有羧基和/或羟基的树脂。

9.根据权利要求1~8的任一项所述的感光性粘接剂组合物,其中,所述(A)碱可溶性树脂为聚酰亚胺树脂。

10.根据权利要求9所述的感光性粘接剂组合物,其中,所述聚酰亚胺树脂是使四羧酸二酐与分子中含有羧基和/或羟基的二胺反应而得到的聚酰亚胺树脂。

11.根据权利要求13或14所述的感光性粘接剂组合物,其中,所述聚酰亚胺树脂是使四羧酸二酐与下述结构式(3)表示的芳香族二胺和/或下述结构式(4)表示的芳香族二胺反应而得到的聚酰亚胺树脂

12.一种膜状粘接剂,其是将权利要求1~11的任一项所述的感光性粘接剂组合物成形为膜状而形成。

13.一种粘接片,其具有基材和在该基材的一面上设置的包含权利要求1~11的任一项所述的粘接剂组合物的粘接剂层。

14.一种粘接片,其具有将权利要求12所述的膜状粘接剂和切割片进行层叠形成的层叠结构。

15.一种粘接剂图形,其是通过在被粘接物上形成包含权利要求1~11所述的感光性粘接剂组合物的粘接剂层,隔着光掩模曝光该粘接剂层,利用碱性显影液来显影处理曝光后的所述粘接剂层而形成。

16.一种贴有粘接剂层的半导体晶片,其具有半导体晶片和在该半导体晶片的一面上设置的包含权利要求1~11的任一项所述的感光性粘接剂组合物的粘接剂层。

17.一种半导体装置,其是通过权利要求1~11的任一项所述的感光性粘接剂组合物来粘接半导体元件和半导体元件搭载用支撑部件而形成。

18.一种半导体装置的制造方法,其具有使用权利要求1~11的任一项所述的感光性粘接剂组合物来粘接半导体元件和半导体元件搭载用支撑部件的工序。

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