[发明专利]半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 200880006364.3 申请日: 2008-09-22
公开(公告)号: CN101622607A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 檜田敏克;管野伸一;矢野浩邦;橘内和也;浅野滋博;矢野纯二 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: G06F12/16 分类号: G06F12/16;G06F12/00;G11C16/02;G11C16/04;G11C16/06
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 杨晓光;于 静
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体存储装置,其包括:

非易失性半导体存储器,其按块来存储数据,所述块为数据擦除的单 位;以及

控制单元,其监控存储在选自所述块的受监控块中的数据的错误计 数,并且刷新在其中所述错误计数等于或大于阈值的受监控块中的数据,

其中所述控制单元包括:

错误校正单元,其校正从所述块读出的数据中的错误;

错误计数检测单元,其检测由所述错误校正单元校正的数据中的所述 错误计数;

监控单元,其将所述错误计数等于或大于第一阈值的块设定为所述受 监控块,并且以预定间隔读出所述受监控块中的数据;以及

刷新单元,其对所述错误计数等于或大于第二阈值的所述受监控块执 行刷新操作,所述第二阈值大于所述第一阈值。

2.根据权利要求1的半导体存储装置,其还包括:

第一管理表,与所述受监控块对应的块号被登记到所述第一管理表, 其中

所述监控单元通过参考所述第一管理表检测所述错误计数来监控在 所述受监控块中的数据的所述错误计数。

3.根据权利要求2的半导体存储装置,其中所述监控单元从所述第一 管理表删除与对其执行所述刷新操作的所述受监控块对应的块号。

4.一种半导体存储装置,其包括:

非易失性半导体存储器,其按块来存储数据,所述块为数据擦除的单 位;以及

控制单元,其监控存储在选自所述块的受监控块中的数据的错误计 数,并且刷新在其中所述错误计数等于或大于阈值的受监控块中的数据,

其中所述控制单元包括:

错误校正单元,其校正从所述块读出的数据中的错误;

错误计数检测单元,其检测由所述错误校正单元校正的数据中的所述 错误计数;

读出量检测单元,其检测从所述块读出的数据的量;

监控单元,其将所述量等于或大于第三阈值的块设定为所述受监控 块,并且以预定间隔读出所述受监控块中的数据;以及

刷新单元,其对所述错误计数等于或大于所述阈值的所述受监控块执 行刷新操作。

5.根据权利要求4的半导体存储装置,其还包括:

第一管理表,与所述受监控块对应的块号被登记到所述第一管理表, 其中

所述监控单元通过参考所述第一管理表检测所述错误计数来监控在 所述受监控块中的数据的所述错误计数。

6.根据权利要求5的半导体存储装置,其中所述监控单元从所述第一 管理表删除与对其执行所述刷新操作的所述受监控块对应的块号。

7.根据权利要求5的半导体存储装置,其还包括:

第二管理表,从所述块读出的数据的量被登记到所述第二管理表,其 中

所述监控单元参考所述第二管理表将所述块登记到所述第一管理表 作为所述受监控块。

8.一种半导体存储装置,其包括:

非易失性半导体存储器,其按块来存储数据,所述块为数据擦除的单 位;以及

控制单元,其监控存储在选自所述块的受监控块中的数据的错误计 数,并且刷新在其中所述错误计数等于或大于阈值的受监控块中的数据,

其中所述控制单元包括:

错误校正单元,其校正从所述块读出的数据中的错误;

错误计数检测单元,其检测由所述错误校正单元校正的数据中的所述 错误计数;

写入时间检测单元,其检测从将数据写入所述块中时起流逝的时间;

监控单元,其将所述流逝的时间等于或大于第四阈值的块设定为所述 受监控块,并且以预定间隔读出所述受监控块中的数据;以及

刷新单元,其对所述错误计数等于或大于所述阈值的所述受监控块执 行刷新操作。

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