[发明专利]半导体装置及其制造方法、拾光模块无效
申请号: | 200880003425.0 | 申请日: | 2008-03-10 |
公开(公告)号: | CN101595556A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 古屋敷纯也;森部省三;宇辰博喜;吉川则之;福田敏行;南尾匡纪;石田裕之 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L23/02 | 分类号: | H01L23/02;H01L23/28;H01L31/02;G11B7/13;G11B7/135 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 模块 | ||
1、一种半导体装置的制造方法,该半导体装置包括半导体元件和装载该半导体元件的封装体,其特征在于:
该半导体装置的制造方法包括以下步骤:
步骤A,在平板状基板用原板上形成相互平行的多个槽,以形成形状是多个封装体连接在一起的封装体集合基板,
步骤B,在多个所述槽中的各个槽中沿着该槽的延伸方向装载多个半导体元件,以及
步骤C,从相邻的两个所述槽之间将封装体集合基板切开。
2、根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
在步骤A中,同时形成两个以上的所述槽。
3、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
在步骤A中,机械地挖掘所述基板用原板以形成所述槽。
4、根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
在步骤A中,利用激光挖掘所述基板用原板以形成所述槽。
5、根据权利要求1到4中任一项权利要求所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
所述封装体集合基板具有在相邻的所述槽之间沿着该槽排列成两列的多个连接电极,
在步骤B中,用金属细线将所述半导体元件和所述连接电极连接起来,
在步骤C中,从所述连接电极的所述两列的列间切断。
6、根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
进一步包括:在所述连接电极的所述两列的列间设置沿着所述槽延伸的垄状部件的步骤。
7、根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
还包括:在所述步骤B之后,将分别覆盖所述半导体元件的上方的盖体跨越所述槽地放置并粘接在所述垄状部件上的步骤。
8、根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
进一步包括:
步骤D,将板状透明部件放在所述半导体元件上,以及
封装步骤,用封装树脂将所述金属细线和所述透明部件的侧壁封装起来。
9、根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
在步骤D中,将一个所述透明部件放在多个所述半导体元件上。
10、根据权利要求1到4中任一项权利要求所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
所述封装体集合基板在所述槽的底面具有沿着该槽排列的多个连接电极,
在步骤B中,用金属细线将所述半导体元件和所述连接电极连接起来,
在步骤C中,将相邻的两个所述槽之间切断。
11、根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
进一步包括:将沿着所述槽延伸的垄状部件设置在相邻的两个所述槽之间的步骤。
12、根据权利要求10或1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
还包括:在步骤B之后,跨越所述槽设置分别覆盖所述半导体元件的上方的盖体的步骤。
13、根据权利要求10或11所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
进一步包括:
步骤D,将板状透明部件放在所述半导体元件上,以及
封装步骤,用封装树脂将所述金属细线和所述透明部件的侧壁封装起来。
14、根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:
在步骤D中,将一个所述透明部件放在多个所述半导体元件上。
15、一种半导体装置,包括半导体元件和装载该半导体元件的封装体,其特征在于:
该半导体装置近似长方体,该半导体装置的下面和相向的一对侧面由所述封装体构成,
所述封装体具有基板部和突起部,所述基板部实质上是矩形,且包括装载所述半导体元件的装载面,所述突起部沿着所述装载面的一对相向的外缘延伸,且所述突起部各自位于所述一对相向的外缘中的一个外缘上,
板状透明部件放置在所述半导体元件上,
所述半导体元件由封装树脂封装起来,
与所述相向的一对侧面不同的另一对侧面上露出有所述基板部、所述突起部以及所述封装树脂,在该半导体装置的上表面露出有所述封装树脂和所述透明部件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880003425.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。