[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

具有第一导电类型的半导体层；

在具有所述第一导电类型的所述半导体层上形成的具有第二导电 类型的半导体层，其中具有所述第二导电类型的所述半导体层具有第一 厚度特征；

延伸第一预设距离进入具有所述第二导电类型的所述半导体层的 体层；

延伸第二预设距离进入具有所述第二导电类型的所述半导体层的 一对沟槽，其中所述沟槽对的每一个沟槽都具有宽度特征并且实质上包 括设置在其中的介电材料，其中在具有所述第二导电类型的所述半导体 层中存在的掺杂杂质的浓度以及所述沟槽对之间的距离限定了与所述 沟槽对的每一个沟槽的宽度无关的所述半导体器件的电特性；

耦联至具有所述第二导电类型的所述半导体层的控制栅极；以及

耦联至具有所述第二导电类型的所述半导体层的源极区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件的所述 电特性包括击穿电压。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中沿着垂直于所述沟槽对 之间的所述第一厚度的线测量的掺杂物的积分电荷密度的范围从约q*1 ×10¹²/cm²到约q*5×10¹²/cm²。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述控制栅极包括向具 有所述第一导电类型的所述半导体层延伸第三预设距离的控制栅极沟 槽。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述控制栅极沟槽还包 括设置在所述介电材料内部的多晶硅材料。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述沟槽对还包括设置 在所述介电材料内部的第二材料。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二材料包括铝氟 化物。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括设置在所述第二材料 内部的第二介电材料。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述介电材料和所述第 二介电材料是同一种材料。

10.根据权利要求4所述的半导体器件，其中沿着所述第三预设距 离测量的所述介电材料的厚度大于沿着垂直所述第三预设距离测量的 所述介电材料的厚度。

11.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第二预设距离和 所述第三预设距离基本相等。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述控制栅极包括设 置在具有所述第二导电类型的所述半导体层上以作为平面结构的栅极 材料。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二预设距离延 伸至具有所述第一导电类型的所述半导体层。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中扩散区靠近所述沟槽 对形成并且其相比所述第一预设距离延伸的更远。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述介电材料包括硅 氧化物材料。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电类型和 所述第二导电类型是相同的导电类型。

17.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述沟槽对 上的第三介电材料。

18.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括延伸穿过所述体层 和具有所述第二导电类型的所述半导体层的至少一个终止沟槽。