[发明专利]高频封装件有效
| 申请号: | 200880001752.2 | 申请日: | 2008-02-26 | 
| 公开(公告)号: | CN101578697A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 | 
| 发明(设计)人: | 八十冈兴祐 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 | 
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/02;H01L23/12;H01P1/00;H01P5/02 | 
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 侯颖媖;胡 烨 | 
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高频 封装 | ||
技术领域
本发明涉及装载有在微波频带或者毫米波频带等高频带下工作的高频器 件的高频封装件,更详细而言,涉及可以制止从高频器件发出的高频信号(无 用波)向外部泄漏的高频封装件。
背景技术
车载毫米波雷达使用毫米波频带的电磁波,可应用于通过检测与前方车辆 的距离、和相对速度进行巡航控制或在碰撞不可避免时减轻对驾驶员的伤害等 的安全性措施。在这样的车载毫米波雷达中,为了得到发送信号,较多采用从 较低的频率倍增的方式,但此时,由于在模块内存在很多频率分量,因此非常 难以满足国际的EMI(抗电磁干扰)标准(FCC(联邦通信委员会)等)。
在车载毫米波雷达中,雷达模块通常包括:装载有雷达装置用的高频器件 的高频封装件、向该高频封装件提供偏置信号及控制信号的控制/接口基板、 以及波导板等而构成,但为了满足上述的EMI标准,以往多将整个雷达模块用 金属盖板覆盖而构成。
然而,在用金属盖板覆盖整个雷达模块时,由于需要高价的壳体等,因此 也为了低成本化,期望一种在高频封装件内满足上述EMI标准的应对方法。
在专利文献1中,在金属制的底座部件上安装高频信号用集成电路元器件 及介质基板,在介质基板上形成微带线,将其用金属制的框架部件及盖状部件 覆盖,对安装在底座部件上的高频信号用集成电路元器件通过偏置端子提供偏 压。
专利文献1:日本专利特开2000-31712号公报
发明内容
在上述专利文献1所披露的以往技术中,由于用金属制底座部件、金属制 框架部件、金属的盖状部件包围高频封装件,因此高频分量向外部的泄漏在某 种程度上被抑制,但对于通过偏置端子泄漏的高频分量却没有采取任何对策。 因此存在这样的问题:高频封装件内的与偏置端子电磁耦合的无用波即高频分 量会通过偏置端子原样地向外部辐射。
即,在这种高频封装件中,在多层介质基板的表层装载高频器件,用电磁 屏蔽部件覆盖该多层介质基板的表层的一部分及高频器件,为了从外部向被该 电磁屏蔽部件覆盖的高频器件提供偏压或控制信号,将配置在电磁屏蔽部件的 外侧的外部端子通过多层介质基板内的信号通孔、内层信号线路、信号通孔, 与电磁屏蔽部件的内侧的内部端子连接,进一步将该内部端子通过连线与高频 器件电连接。因此,在以往的高频封装件中,存在的问题是:在电磁屏蔽部件 的内部空间传播的无用辐射与连线耦合,通过介质基板内层的偏置线向外部辐 射。
本发明鉴于上述情况而作,其目的在于得到一种高频封装件,该高频封装 件减少与连线的耦合量,在高频封装件内制止向外部辐射的无用辐射量,成本 低,高频屏蔽性能好。
为解决上述问题,达到目的,本发明的高频封装件包括:高频器件、在表 层上装载有上述高频器件的多层介质基板、以及覆盖该多层介质基板的表层的 一部分及上述高频器件的电磁屏蔽部件,其特征是,在上述多层介质基板中, 包括:配设在电磁屏蔽部件的内侧的多层介质基板的表层、与上述高频器件通 过连线连接的偏压/控制信号用的内部导体焊盘;与上述内部导体焊盘连接、 配设在上述电磁屏蔽部件的内侧的第一信号通孔;配设在上述电磁屏蔽部件的 外侧的偏压/控制信号用的外部导体焊盘;与该外部导体焊盘连接、配设在上 述电磁屏蔽部件的外侧的第二信号通孔;以及将第一信号通孔和第二信号通孔 连接的内层信号线路,并且对上述内部导体焊盘,设置具有上述高频器件所使 用的高频信号的波长的近似1/4长度的前端开放线路。
根据本发明,对偏压/控制信号用的内部导体焊盘,设置具有高频器件所 使用的高频信号(无用波)的波长的近似1/4长度的前端开放线路,由于与 连线耦合的无用波在内部导体焊盘的前端开放线路的部位被反射,因此可以减 少与连线的耦合量,据此,可以减少向外部的漏出量。因此,可以确实制止无 用波分量向高频封装件外部的泄漏。这样,由于在高频封装件内部可以制止高 频分量向高频封装件外部的泄漏,因此可以降低制造成本。
附图说明
图1是表示装载有本发明的实施方式所涉及的高频封装件的收发模块的 结构的剖视图。
图2是表示本发明的实施方式所涉及的高频封装件的结构例的剖视图。
图3是表示高频封装件的多层介质基板的表层的俯视图。
图4是表示高频封装件的多层介质基板的表层的其他例的俯视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





