[发明专利]高频封装件有效
| 申请号： | 200880001752.2 | 申请日： | 2008-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101578697A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 八十冈兴祐 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/02;H01L23/12;H01P1/00;H01P5/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖;胡 烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高频 封装 | ||
【权利要求书】：
1.一种高频封装件，包括：高频器件、在表层上装载有所述高频器件的 多层介质基板、以及覆盖该多层介质基板的表层的一部分及所述高频器件的电 磁屏蔽部件，其特征在于，
在所述多层介质基板中，包括：
配设在电磁屏蔽部件的内侧的多层介质基板的表层、与所述高频器件通过 连线连接的偏压/控制信号用的内部导体焊盘；
与所述内部导体焊盘连接、配设在所述电磁屏蔽部件的内侧的第一信号通 孔；
配设在所述电磁屏蔽部件的外侧的偏压/控制信号用的外部导体焊盘；
与该外部导体焊盘连接、配设在所述电磁屏蔽部件的外侧的第二信号通 孔；以及
将第一信号通孔和第二信号通孔连接的内层信号线路，
并且对所述内部导体焊盘，连接具有所述高频器件所使用的高频信号的波 长的近似1/4长度的前端开放线路。
2.如权利要求1所述的高频封装件，其特征在于，所述前端开放线路从 第一信号通孔起具有所述高频信号的波长的近似1/4的长度。
3.如权利要求1所述的高频封装件，其特征在于，所述高频器件容纳 在所述多层介质基板所形成的凹部底面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200880001752.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无线随钻测斜仪用循环套
- 下一篇：灯具基板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
